[实用新型]IGBT模块封装结构有效
| 申请号： | 201921868366.5 | 申请日： | 2019-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN210535657U | 公开（公告）日： | 2020-05-15 |
| 发明（设计）人： | 项澹颐 | 申请（专利权）人： | 富士电机（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/492 | 分类号： | H01L23/492;H01L23/31;H01L29/739;H01L25/07;H01L23/58;G01K7/02 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 杨楷;毛立群 |
| 地址： | 200062 上海市普陀*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | igbt 模块 封装 结构 | ||
1.一种IGBT模块封装结构，其特征在于，包括：
绝缘基板；
IGBT芯片，设置于所述绝缘基板的一侧；以及
温度传感元件，贴附于所述绝缘基板异于所述IGBT芯片的一侧并且隔着所述绝缘基板与所述IGBT芯片相对设置。
2.如权利要求1所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，还包括：
温度检测端子，与所述温度传感元件相连接。
3.如权利要求2所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，所述温度检测端子至少部分设置于所述绝缘基板外部。
4.如权利要求2或3所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，所述绝缘基板为DBC板，包括陶瓷基板以及包覆于所述陶瓷基板上、下表面的铜箔。
5.如权利要求4所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，所述温度检测端子与所述温度传感元件经由所述铜箔形成于所述陶瓷基板的线路层电性连接。
6.如权利要求2、3、5中任一项所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，所述温度传感元件为绝缘热电偶。
7.如权利要求6所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，还包括，金属基板，用于构成IGBT模块封装结构的底板，所述金属基板靠近所述IGBT芯片的一侧设置有用于收容所述温度传感元件的凹槽。
8.如权利要求7所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，所述凹槽的深度设置为0.6～0.8毫米，宽度设置为1.0～1.2毫米。
9.如权利要求7所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，所述绝缘热电偶具有用于直接检测IGBT芯片的壳温的工作端以及用于向所述温度检测端子传递热电动势信息的自由端。
10.如权利要求9所述的IGBT模块封装结构，其特征在于，所述自由端和所述温度检测端子之间由导线电性连接。
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