[实用新型]IGBT模块封装结构

说明书

本实用新型提供了一种IGBT模块封装结构，包括：电性连接层，用于为设置其上的导体元件与外部元件提供电性连接媒介；芯片层，固定设置于电性连接层；端子；以及导线，用于实现电路互连；芯片层和端子经电性连接层由导线电性连接，也即，连接于芯片层和端子之间的导线与电性连接层部分连接，和芯片层和端子经导线直接电性连接的连接方式相比，能够使芯片层产生的热量至少部分经导线和电性连接层接触的区域传导至绝缘基板，这样就减少了导线传导至端子的热量，降低了端子的温度，有助于IGBT模块的正常工作，并减少了IGBT模块因过热而损毁的可能，进而增加了IGBT模块的使用寿命，解决了因端子处的热量难于散发而导致IGBT模块可能因过热而损坏的技术问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体功率器件封装技术领域，更详细地说，本实用新型涉及一种IGBT模块封装结构。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管，是由一种由BJT(双极性三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，作为一种常见的电子器件已经广泛应用在各种电子设备上。由于温度过高会影响IGBT模块的性能，严重时甚至会导致IGBT模块损毁，IGBT模块中通常设置有温度传感元件，现有技术中，通常将NTC(Negative Temperature Coefficient)温度传感器安装在IGBT模块内以检测IGBT模块壳体的温度T_C，或者将温度敏感二极管集成于IGBT芯片以直接检测IGBT芯片的结温T_j，由于NTC温度传感器的温度响应速度较慢，当IGBT芯片瞬间过热时，NTC温度传感器可能出现响应不及时的情况而导致用户无法及时发现问题，严重时可能会导致IGBT模块的损坏，而温度敏感二极管容易在温度骤升时发生热击穿，可靠性较差。

因此，有必要对现有IGBT模块封装结构加以改进。

实用新型内容

鉴于现有技术中，IGBT模块封装结构在IGBT芯片温度检测时容易出现温度传感元件响应较慢或温度传感元件自身的稳定性较差的问题，本实用新型提供了一种IGBT模块封装结构，包括：绝缘基板；IGBT芯片，设置于所述绝缘基板的一侧；以及温度传感元件，贴附于所述绝缘基板异于所述IGBT芯片的一侧并且隔着所述绝缘基板与所述IGBT芯片相对设置。

在该技术方案中，将温度传感元件，贴附于绝缘基板异于IGBT芯片的一侧并且隔着绝缘基板与IGBT芯片相对设置，能够使IGBT芯片的外壳的温度及时的传达至温度传感元件，使得温度传感元件能够在IGBT芯片的温度发生变化时迅速的作出相应的响应。

在本实用新型的较优技术方案中，IGBT模块封装结构还包括：温度检测端子，与所述温度传感元件相连接。

在该技术方案中，用户无需直接通过温度传感元件获取IGBT芯片的壳温T_C，而可以通过温度传感元件传递给温度检测端子的信号间接获取IGBT芯片的壳温T_C。

在本实用新型的较优技术方案中，所述温度检测端子至少部分设置于所述绝缘基板外部。

在该技术方案中，温度检测端子至少部分设置于所述绝缘基板的外部为用户自温度检测端子直接或间接获取温度传感元件传递的温度信号提供了便利。

在本实用新型的较优技术方案中，所述绝缘基板为DBC板，包括陶瓷基板以及包覆于所述陶瓷基板上、下表面的铜箔。

在本实用新型的较优技术方案中，所述温度检测端子与所述温度传感元件经由所述铜箔形成于所述陶瓷基板的线路层电性连接。

由于通过导线连接温度检测端子与温度传感元件，需要在金属基板上相应开设导线槽，不仅工艺复杂，成本较高，而且降低了IGBT模块封装的效率，而利用铜箔形成的线路层实现温度检测端子和温度传感元件的电性连接，不仅无需设置导线和开设导线槽，简化了工艺，而且提高了IGBT模块的稳定性。