[实用新型]一种生长金刚石用散热装置有效
申请号: | 201921875995.0 | 申请日: | 2019-10-31 |
公开(公告)号: | CN212293841U | 公开(公告)日: | 2021-01-05 |
发明(设计)人: | 王忠强;丁雄傑;王琦;张国义 | 申请(专利权)人: | 北京大学东莞光电研究院 |
主分类号: | C30B25/00 | 分类号: | C30B25/00;C30B29/04 |
代理公司: | 东莞恒成知识产权代理事务所(普通合伙) 44412 | 代理人: | 邓燕 |
地址: | 523808 广东省东莞市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 生长 金刚石 散热 装置 | ||
本实用新型涉及金刚石制备技术领域,具体涉及一种生长金刚石用散热装置,包括沉积腔体,沉积腔体内设有冷却沉积台,还包括托盘,托盘放置于冷却沉积台上,托盘内设有导热介质;所述导热介质为金、银、铜或锡的单质中的任一种;导热介质的液体密度大于金刚石的密度;冷却沉积台设置有冷媒、冷媒进口和冷媒出口。本实用新型结构简单,设计合理,通过将待生长的金刚石籽晶与融化后导热介质融液形成良好的面接触,达到良好的散热效果,可为金刚石籽晶的连续生长提供均匀的温度条件。
技术领域
本实用新型涉及金刚石制备技术领域,特别是涉及一种生长金刚石用散热装置。
背景技术
单晶金刚石具有优异的物理化学性能,在机械、电子、珠宝等领域具有重要的应用价值,为了拓展这些应用,需要制备出大颗粒金刚石。
在各种金刚石制备方法中,微波等离子体化学气相沉积法(MPCVD)以其等离子体功率密度高、无电极放电污染和性能稳定等特性成为制备高品质金刚石的首选方法,当前制备方法在生产大颗粒单晶金刚石的工艺过程中,普遍采用将金刚石籽晶固定在沉积台上的耐高温样品托上,通过冷却沉积台对籽晶进行温度控制,在籽晶向着等离子体的一面进行单向生长,由于固体间接触界面之间存在空隙,接触点不均匀等问题,晶体侧边与中心的生长环境差异,往往引起边缘出现多晶或非晶碳化,位错越来越多并向生长面蔓延,导致单晶生长面越来越小,需要反复清洗切割后再生长或拼接生长,严重影响生产效率与产品质量。
鉴于上述技术问题,有必要提供一款新的生长金刚石用散热装置,以更好地解决上述技术问题。
实用新型内容
为解决上述问题,本实用新型提供一种生长金刚石用散热装置,其结构简单,设计合理,散热效果好。
本实用新型采用的技术方案是:一种生长金刚石用散热装置,包括沉积腔体,沉积腔体内设有冷却沉积台,还包括托盘,托盘放置于冷却沉积台,托盘内设有导热介质;所述导热介质为金、银、铜或锡的单质中的任一种;所述导热介质的液体密度大于金刚石的密度;冷却沉积台设置有冷媒、冷媒进口和冷媒出口。
对上述技术方案的进一步改进为,冷媒为软水。
对上述技术方案的进一步改进为,导热介质常温下的形状为片状、棒状或块状中的任一种。
对上述技术方案的进一步改进为,所述托盘由钼制成。
对上述技术方案的进一步改进为,冷却沉积台由不锈钢制成。
本实用新型的有益效果如下:
本实用新型包括沉积腔体,沉积腔体内设有冷却沉积台,还包括托盘,托盘放置于冷却沉积台上,托盘内设有导热介质,导热介质的液体密度大于金刚石的密度,生长金刚石时,将金刚石籽晶置于导热介质上,在金刚石籽晶生长过程中,导热介质受热熔融形成融液,金刚石籽晶与导热介质融化形成的融液形成面接触,进行均匀散热,其结构简单,设计合理,通过将待生长的金刚石籽晶与融化后导热介质融液形成良好的面接触,达到良好的散热效果,可为金刚石籽晶的连续生长提供均匀的温度条件。
附图说明
图1为本实用新型的结构示意图;
附图标记说明:1.金刚石籽晶、2.导热介质、3.托盘、4.冷却沉积台、5.冷媒进口、6.冷媒出口。
具体实施方式
下面将结合附图对本实用新型作进一步的说明。
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