[实用新型]一种晶硅电池制绒槽用辅助设备有效
申请号: | 201921888784.0 | 申请日: | 2019-11-05 |
公开(公告)号: | CN210640185U | 公开(公告)日: | 2020-05-29 |
发明(设计)人: | 王兴明 | 申请(专利权)人: | 常州启航能源科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L31/18 |
代理公司: | 昆明合众智信知识产权事务所 53113 | 代理人: | 张玺 |
地址: | 213000 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电池 制绒槽用 辅助 设备 | ||
本实用新型公开了一种晶硅电池制绒槽用辅助设备,包括排放区域、设备区域、电控区域以及设备区域内部设置的过滤器、分离罐和储液罐,所述设备区域下方设置有排放区域,设备区域内部安装有过滤器,分离罐侧面安装有上下连通的分离罐循环管,分离罐的溢流口通过带有第一电磁阀的分离罐溢流管与储液罐相连接,且储液罐的出液口通过带有第一控制阀的储夜罐出夜管连接第二磁力泵。该晶硅电池制绒槽用辅助设备,该装置可以减少换液周期,提高单槽的使用寿命,提高现有制绒设备产能;降低化学品的单耗的同时可以降低污水排放进而降低生产成本和污水处理成本。
技术领域
本实用新型涉及晶硅电池领域,具体为一种晶硅电池制绒槽用辅助设备。
背景技术
单晶制绒槽一般在12个小时或者24个小时后就要进行一次槽体换液,另外由于设备本身的限制和目前制绒技术的限制,整个槽体寿命周期内的绒面变化趋势比较大,反射率会随着时间的变化而逐渐增大,严重的情况下会影响到制绒后单晶硅片的外观,不仅影响了太阳能电池的电池转化效率,而且还影响生产的良率以及太阳能电池膜色的一致性;由于频繁的换液会导致产线污水排放的量会比较大,一方面导致工厂的污水处理成本的增加,另外一方面也会导致化学品耗量的增加,由于原料化学品的纯度不够、硅片表面的脏污以及过程反应出的中间产物容易出现一些槽体里面的脏污,这些脏污杂质不仅影响制绒效果而且还会影响到电池的转化效率,尤其在高效的晶硅电池工艺中,硅片表面的污染对电池的转换效率影响会更大。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种晶硅电池制绒槽用辅助设备,以解决上述背景技术中提出的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供如下技术方案:一种晶硅电池制绒槽用辅助设备,包括排放区域、设备区域、电控区域以及设备区域内部设置的过滤器、分离罐和储液罐,所述设备区域下方设置有排放区域,且设备区域侧面设置有电控区域,设备区域内部安装有过滤器,且过滤器的进液口通过第一磁力泵与输料管道相连接,过滤器的出液口通过带有第二电磁阀的输送管道与分离罐的进液口相连接,并且分离罐的出液口连接带有第四电磁阀的废料排放管道,分离罐侧面安装有上下连通的分离罐循环管,分离罐的溢流口通过带有第一电磁阀的分离罐溢流管与储液罐相连接,且储液罐的出液口通过带有第一控制阀的储夜罐出夜管连接第二磁力泵,且第二磁力泵输出口连接带有第五电磁阀的设备管。
优选的,所述设备区域左侧面通过带有调压阀的管道连接鼓泡装置以及CDA水循环系统,且设备区域上侧面连通有放空管道,并且设备区域下方侧面连通带有第四控制阀的设备区排放管,同时设备区排放管、废料排放管道的管口、设备区排放管的管口、废料管上安装的第五控制阀部分以及第六控制阀管道部分均设置的排放区域内部。
优选的,所述储液罐内部安装有PTFE投入式加热器,且储液罐内部的温度为75℃,并且储液罐以及设备管道均为PPH管道。
优选的,所述储液罐上安装有液位传感器和温度传感器,并且储液罐通过带有第二控制阀的去离子水管道连接去离子水设备,第二控制阀下方的去离子水管道上连接有水枪管道,且水枪管道与去离子水管道下方的去离子水管上安装有电磁阀。
优选的,所述储液罐上方的溢流口通过储夜罐溢流管道与废料排放管道相连通,且第一控制阀上方的储夜罐出夜管上通过带有第六控制阀的管道连接废料排放管道,并且过滤器的废液出口通过带有第五控制阀的废料管与废料排放管道相连通,废料管和储夜罐溢流管道与废料排放管道连接处位于第四电磁阀下方,同时第四电磁阀上方的废料排放管道上连接带有第三电磁阀的分流管,且分流管出口连接取样槽。
优选的,所述过滤器的出液口连接的输送管道下方管道上依次安装有止回阀和第三控制阀,且输送管道下端与输料管道与第一磁力泵连接的管道连通。
与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:
1.该装置可以减少换液周期,提高单槽的使用寿命,提高现有制绒设备产能;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造