[实用新型]一种高温ALD前驱体源储存装置

说明书

本实用新型公开了一种高温ALD前驱体源储存装置，包括源瓶瓶体、上封头和下封头，所述瓶体内设有加热组件，所述上封头的外侧连接阀门管件，所述阀门管件包括两个VCR接头，所述两个VCR接头分别连接有第一隔膜阀和第二隔膜阀，所述第一隔膜阀的底部设有延伸至瓶体内部的进料接管，所述进料接管的底部连接有进料管，所述第二隔膜阀的底部设有延伸至瓶体内部的出口接管，所述出口接管的底部设有出口气泡发生器，所述源瓶瓶体上设有液位计。本实用新型提供的一种高温ALD前驱体源储存装置，通过在装置上设置液位计和蒸汽出口阀门调节加热汽化输出的汽化量，可极限利用储存装置中昂贵的化学品源，提高化学品利用率，降低成本，利于工艺参数的控制。

技术领域

本实用新型涉及ALD前驱体源储存的技术领域，尤其涉及一种高温ALD前驱体源储存装置。

背景技术

随着纳米技术以及半导体集成电路对器件小型化的要求，迫切需要具有高精度、纳米级厚皮等性能的薄膜材料。原子层沉积(Atomiclayer Deposition，ALD)技术，是一种基于有序、表面自饱和反应的化学气相薄膜沉积技术。其通过将前驱体交替脉冲通入反应室并在沉积基体表面发生气固相化学吸附反应形成薄膜的一种方法。

前驱体的液态源是电子行业的重要原料，在半导体器件及太阳能电池片生产过程中，液态源的使用非常广泛，在常温下，液态源蒸汽压很低，以液态存在，但必须转化气态才能进行气相薄膜沉积而且前驱体应能在衬底表面迅速发生化学吸附，前驱体的特点是反应活性高，需要保证在较短的循环时间内达到饱和吸附，或与材料表面基团快速发生有效的反应，使表面膜具有高的纯度，避免在反应器中发生气相反应而增加薄膜缺陷。因此需要做到对水、氧的绝对隔绝，所以需要专门的容器对ALD液态源进行储存，并能够保证液态源能够加热汽化，控制液位，提高昂贵的化学品的利用率，保证设备的安全性及可持续使用性。

目前，ALD技术发展还处于前沿阶段，对存储容器以及液态源的使用技术尚未标准化，ALD源存储及使用有不同规格，但实际应用时，ALD的利用率不高，特别对高温汽化的原料，没有合理的标准化存储设备和加热汽化使用方法。

实用新型内容

鉴于目前技术存在上述不足，本实用新型提供一种高温ALD前驱体源储存装置，能够提高化学品利用率，降低成本，利于工艺参数的控制。

为达到上述目的，本实用新型的实施例采用如下技术方案：

一种高温ALD前驱体源储存装置，包括源瓶瓶体、上封头和下封头，所述瓶体内设有加热组件，所述上封头的外侧连接阀门管件，所述阀门管件包括两个VCR接头，所述两个VCR接头分别连接有第一隔膜阀和第二隔膜阀，所述第一隔膜阀的底部设有延伸至瓶体内部的进料接管，所述第二隔膜阀的底部设有延伸至瓶体内部的出口接管，所述出口接管的底部设有出口气泡发生器，所述源瓶瓶体上设有液位计。

依照本实用新型的一个方面，所述源瓶瓶体和上封头、下封头通过焊接连接。

依照本实用新型的一个方面，所述源瓶瓶体内部的顶部和底部设置弧形面。

依照本实用新型的一个方面，所述瓶体采用316L不锈钢材质，瓶体内经过电化学抛光。

依照本实用新型的一个方面，所述瓶体为双腔结构，所述双腔通过隔板进行隔断，所述隔板上下两端分别留有通道。

依照本实用新型的一个方面，所述进料接管的底部连接有进料管，所述瓶体的底部侧壁设有凹槽，所述进料管的底端延伸至凹槽内。

本实用新型实施的优点：通过合理的外部加热或外部加热结构提供加热器化，并且在装置上通过设置液位计和蒸汽出口阀门调节加热汽化输出的汽化量，从而控制储存装置中的液位，极限利用储存装置中昂贵的化学品源，提高化学品利用率，降低成本，还能保证源蒸汽压的稳定，利于工艺参数的控制，同时还可保证原料剩余微量时控制液位仍能保证稳定足够的蒸汽压，且通过特殊耐高温阀门以及装置的焊接制造要求，保证装置的气密性，安全可靠性。