[实用新型]晶圆边缘清洗设备有效
申请号: | 201921908668.0 | 申请日: | 2019-11-06 |
公开(公告)号: | CN211208395U | 公开(公告)日: | 2020-08-07 |
发明(设计)人: | 张玉静 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/02 |
代理公司: | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人: | 成丽杰 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 边缘 清洗 设备 | ||
1.一种晶圆边缘清洗设备,其特征在于,包括:
晶圆载板,用于承载晶圆,所述晶圆边缘具有至少一层待清洗的膜层;
第一清洗单元,用于采用湿法刻蚀工艺清洗所述晶圆边缘;
第二清洗单元,用于采用干法刻蚀工艺清洗所述晶圆边缘;
控制模块,用于基于当前待清洗的膜层的属性,调用与所述属性相对应的所述第一清洗单元或所述第二清洗单元对所述晶圆边缘进行清洗。
2.如权利要求1所述的晶圆边缘清洗设备,其特征在于,所述控制模块包括:
检测单元,用于在对所述晶圆边缘进行清洗的过程中,检测当前待清洗的膜层的属性是否发生变化;
处理单元,用于基于所述检测单元的检测结果,调用与所述属性相对应所述第一清洗单元或所述第二清洗单元对所述晶圆边缘进行清洗。
3.如权利要求2所述的晶圆边缘清洗设备,其特征在于,所述处理单元包括:
第一处理子单元,用于,当所述检测单元的检测结果表征当前待清洗的膜层为金属膜时,控制所述第一清洗单元对所述晶圆边缘进行清洗;
第二处理子单元,用于,当所述检测单元的检测结果表征当前待清洗的膜层为非金属膜时,控制所述第二清洗单元对所述晶圆边缘进行清洗。
4.如权利要求2所述的晶圆边缘清洗设备,其特征在于,所述检测单元集成在所述第一清洗单元或所述第二清洗单元至少一者中。
5.如权利要求1所述的晶圆边缘清洗设备,其特征在于,所述第一清洗单元包括第一喷头结构和第二喷头结构;
所述第一喷头结构用于清洗所述晶圆边缘的顶部表面,所述第二喷头结构用于清洗所述晶圆边缘的底部表面。
6.如权利要求5所述的晶圆边缘清洗设备,其特征在于,所述第一喷头结构包括:第一主体部、第一喷头部和第一驱动电机;
所述第一主体部包括滑槽,所述第一喷头部可移动的设置在所述滑槽上;所述第一驱动电机用于驱动所述第一喷头部在所述滑槽上移动。
7.如权利要求5所述的晶圆边缘清洗设备,其特征在于,所述第二喷头结构包括:第二主体部和第二喷头部和第二驱动电机;
所述第二喷头结构的位置相对于所述晶圆边缘的位置固定设置。
8.如权利要求6所述的晶圆边缘清洗设备,其特征在于,所述第一喷头部包括:
第一调节单元,所述第一驱动电机还用于驱动所述第一调节单元,对所述第一喷头部的喷嘴角度进行调节。
9.如权利要求7所述的晶圆边缘清洗设备,其特征在于,所述第二喷头部包括:
第二调节单元,所述第二驱动电机用于驱动所述第二调节单元,对所述第二喷头部的喷嘴角度进行调节。
10.如权利要求5所述的晶圆边缘清洗设备,其特征在于,包括:所述第一喷头结构与水平方向呈10到30的夹角朝向所述晶圆边缘的顶部表面;所述第二喷头结构与水平方向呈10到30的夹角朝向所述晶圆边缘的底部表面。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201921908668.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种弹性罐封口泄漏检测设备
- 下一篇:一种电火花线切割机床的导轮装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造