[实用新型]晶圆边缘清洗设备

说明书

本实用新型实施方式提供了一种晶圆边缘清洗设备，晶圆边缘清洗设备包括：晶圆载板，用于承载晶圆，晶圆边缘具有至少一层待清洗的膜层；第一清洗单元，用于采用湿法刻蚀工艺清洗晶圆边缘；第二清洗单元，用于采用干法刻蚀工艺清洗晶圆边缘；控制模块，用于基于当前待清洗的膜层的属性，调用与属性相对应的第一清洗单元或第二清洗单元对晶圆边缘进行清洗。将目前对晶圆边缘的清洗设备进行改进，采用干法刻蚀工艺和湿法刻蚀工艺相结合的方式对晶圆边缘进行清洗，对待清洗的膜层进行的具有针对性的清洗。

技术领域

本实用新型涉及半导体设备领域，特别涉及一种晶圆边缘清洗设备。

背景技术

目前，在DRAM生产过程中，晶圆边缘沉积的膜层和吸附的颗粒可能会在后续制程过程中分裂或脱落，影响到产品的良率，更严重的甚至会导致产品报废。为了提升产品的良率，往往需要对晶圆边缘进行清洗，现有的晶圆边缘清洗技术主要是采用干法蚀刻工艺。

然而，本实用新型的发明人发现：仅采用干法刻蚀工艺对晶圆边缘的膜层进行清洗时，刻蚀具有局限性，难以适用于有特殊要求的晶圆边缘清洗。

实用新型内容

本实用新型实施方式的目的在于提供一种晶圆边缘清洗设备，在设备上集成第二清洗单元和第一清洗单元，对待清洗的膜层进行的具有针对性的清洗。

为解决上述技术问题，本实用新型的实施方式提供了一种晶圆边缘清洗设备，包括：晶圆载板，用于承载晶圆，晶圆边缘具有至少一层待清洗的膜层；第一清洗单元，用于采用湿法刻蚀工艺清洗晶圆边缘；第二清洗单元，用于采用干法刻蚀工艺清洗晶圆边缘；控制模块，用于基于当前待清洗的膜层的属性，调用与属性相对应的第一清洗单元或第二清洗单元对晶圆边缘进行清洗。

相对于现有技术而言，将目前对晶圆边缘的清洗设备进行改进，将第一清洗单元和第二清洗单元集成在同一清洗设备中，基于待清洗的膜层的属性，调用与待清洗的膜层的属性相对应的第二清洗单元或第一清洗单元，采用相应的清洗方式，解决了现有技术中仅采用干法刻蚀进行刻蚀的局限性，适用于有特殊要求的晶圆边缘清洗，对待清洗的膜层进行的具有针对性的清洗。

另外，待清洗的膜层的属性具体包括：待清洗的膜层的材料属性或待清洗的膜层的目标刻蚀形貌属性中的至少一种特征。

另外，控制模块包括：检测单元，用于在对晶圆边缘进行清洗的过程中，检测当前待清洗的膜层的属性是否发生变化；处理单元，用于基于检测单元的检测结果，调用与属性相对应第一清洗单元或第二清洗单元对晶圆边缘进行清洗。检测模块集成在第一清洗单元或第二清洗单元至少一者中。通过将检测模块集成在第一清洗单元或第二清洗单元中，在清洗待清洗的膜层的过程中，若待清洗的膜层的属性发生变化，检测模块检测出新的属性，采用相应属性的清洗单元对待清洗的膜层进行清洗。在任意清洗时刻，对待清洗的膜层的都采用最适合的清洗方式。

另外，处理单元包括：第一处理子单元，用于，当检测单元的检测结果表征当前待清洗的膜层为金属膜时，控制第一清洗单元对晶圆边缘进行清洗；第二处理子单元，用于，当检测单元的检测结果表征当前待清洗的膜层为非金属膜时，控制第二清洗单元对晶圆边缘进行清洗。

另外，第一清洗单元包括第一喷头结构和第二喷头结构；第一喷头结构用于清洗晶圆边缘的顶部表面，第二喷头结构用于清洗晶圆边缘的底部表面。湿法刻蚀工艺包括清洗晶圆边缘上表面的第一喷头结构，和清洗晶圆边缘下表面的第二喷头结构。通过第一喷头结构和第二喷头结构，对晶圆边缘的上下表面同时进行清洗，提升了采用湿法刻蚀工艺的清洗效率。

另外，第一喷头结构包括：第一主体部、第一喷头部和第一驱动电机；第一主体部包括滑槽，第一喷头部可移动的设置在滑槽上；第一驱动电机用于驱动第一喷头部在滑槽上移动。第一驱动电机通过滑槽控制第一喷头部的位置，使得湿法刻蚀工艺的刻蚀的宽度可以调节，解决了目前清洗设备的清洗宽度无法调节的问题。