[实用新型]存储器有效
| 申请号： | 201921919956.6 | 申请日： | 2019-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN210607187U | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 张强;应战 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/762;H01L21/8239;H01L27/105 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤;董琳 |
| 地址： | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 | ||
1.一种存储器，其特征在于，包括：
衬底，所述衬底包括阵列区域；
所述阵列区域内形成有若干分立且阵列排布的分立有源区；
所述各个分立有源区通过浅沟槽隔离结构隔离，其中至少部分最外围浅沟槽隔离结构在所述分立有源区长度方向上的尺寸大于其他位置的浅沟槽隔离结构在所述分立有源区长度方向上的尺寸。
2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述衬底还包括包围所述阵列区域的外围区域，所述外围区域内形成有外围浅沟槽隔离结构。
3.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述外围浅沟槽隔离结构围绕所述阵列区域设置。
4.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述分立有源区与所述外围区域之间通过浅沟槽隔离结构隔离。
5.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述外围浅沟槽隔离结构朝向所述阵列区域一侧的侧壁为曲面。
6.根据权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述外围浅沟槽隔离结构与所述阵列区域之间具有一定间距。
7.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构中，最外围的浅沟槽隔离结构的尺寸大于其他位置的浅沟槽隔离结构的尺寸。
8.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，各分立有源区分别沿多根平行的直线排列。
9.根据权利要求8所述的存储器，其特征在于，位于所述阵列区域最外围的分立有源区长度大于或等于各分立有源区长度的最小值。
10.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述浅沟槽隔离结构包括第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构；所述第一浅沟槽隔离结构为长条状，将阵列区域分割为多条平行排列的长条状的连续有源区，所述第二浅沟槽隔离结构为块状，将所述长条状的连续有源区分割为若干分立有源区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
