[实用新型]存储器

说明书

一种存储器，所述存储器包括：衬底，所述衬底包括阵列区域；所述阵列区域内形成有若干分立且阵列排布的分立有源区；所述各个分立有源区通过浅沟槽隔离结构隔离，其中至少部分最外围浅沟槽隔离结构在所述分立有源区长度方向上的尺寸大于其他位置的浅沟槽隔离结构在所述分立有源区长度方向上的尺寸。上述存储器可靠性提高。

技术领域

本实用新型涉及存储器技术领域，尤其涉及一种存储器。

背景技术

存储器包括多个阵列排列的存储单元，每个存储单元均形成于一有源区(AA)上。现有技术的存储器的形成过程中，通常需要对衬底进行刻蚀，以形成阵列排列的有源区。

随着存储器存储容量增大，存储密度增大，有源区的线宽逐渐缩小。在衬底表面形成多个阵列排列的掩膜图形作为有源区的掩膜时，需要采用双重图形化工艺(SADP)以形成具有更小线宽图形的AA掩膜，用于形成长条状的AA；然后再在所述AA掩膜上形成STI掩膜用于将长条状的AA切断，由于形成阵列排布的有源区。

在采用SADP工艺形成存储器阵列区域的有源区时，由于AA掩膜的尺寸很小，形成的有源区尺寸很小，在有源区阵列的边缘会存在容易产生倒塌、受到应力等问题，影响产品的良率。

如何改善存储器有源区阵列的边缘问题，是目前亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种存储器，能够改善存储器有源区阵列的边缘问题。

为了解决上述问题，本实用新型的技术方案提供一种存储器，包括：衬底，所述衬底包括阵列区域；所述阵列区域内形成有若干分立且阵列排布的分立有源区；各分立有源区之间通过浅沟槽隔离结构隔离，其中至少部分最外围浅沟槽隔离结构在所述分立有源区长度方向上的尺寸大于其他位置的浅沟槽隔离结构在所述分立有源区长度方向上的尺寸。

可选的，所述衬底还包括包围所述阵列区域的外围区域，所述衬底的外围区域内形成有外围浅沟槽隔离结构。

可选的，所述外围浅沟槽隔离结构围绕所述阵列区域设置。

可选的，所述分立有源区与所述外围区域之间通过浅沟槽隔离结构隔离。

可选的，所述外围浅沟槽隔离结构朝向所述阵列区域一侧的侧壁为曲面。

可选的，所述外围浅沟槽隔离结构与所述阵列区域之间具有一定间距。

可选的，所述浅沟槽隔离结构中，最外围的浅沟槽隔离结构的尺寸大于其他位置的浅沟槽隔离结构的尺寸。

可选的，各分立有源区分别沿多根平行的直线排列。

可选的，位于所述阵列区域最外围的分立有源区长度大于或等于各分立有源区长度的最小值。

可选的，所述浅沟槽隔离结构包括第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构；所述第一浅沟槽隔离结构为长条状，将阵列区域分割为多条平行排列的长条状的连续有源区，所述第二浅沟槽隔离结构为块状，将所述长条状的连续有源区分割为若干分立有源区。

本实用新型的存储器可以避免有源区阵列边缘存在尺寸较小的次有源区而发生倒塌等问题，提高存储器的可靠性。进一步的，位于外围的用于分割连续有源区的浅沟槽隔离结构的尺寸较大，可以避免刻蚀形成沟槽过程中的刻蚀负载效应，从而降低光刻刻蚀工艺窗口，提高形成的浅沟槽隔离结构的图形准确性，进一步提高存储器的性能。

附图说明

图1至图8为本实用新型具体实施方式的存储器的形成过程的结构示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型提供的存储器及其形成方法的具体实施方式做详细说明。