[实用新型]一种芯片支架和发光器件有效
申请号: | 201921942790.X | 申请日: | 2019-11-12 |
公开(公告)号: | CN210805768U | 公开(公告)日: | 2020-06-19 |
发明(设计)人: | 王锋;夏章艮;何安和;赵来文;彭康伟;林素慧 | 申请(专利权)人: | 厦门三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/48;H01L33/54;H01L33/62;H01L33/46 |
代理公司: | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 陈敏 |
地址: | 361100 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 支架 发光 器件 | ||
1.一种芯片支架,所述芯片为倒装芯片,其特征在于,所述支架包括:
衬底,所述衬底的上部设置有第一表面;
设置在所述第一表面上的绝缘层;
设置在所述绝缘层上能够分别与所述倒装芯片相对应电连的第一导电层和第二导电层,所述第一导电层和所述第二导电层绝缘间隔设置。
2.根据权利要求1所述的芯片支架,其特征在于:所述第一导电层与所述第二导电层之间的间隔宽度小于50μm。
3.根据权利要求1所述的芯片支架,其特征在于:所述绝缘层包括氧化硅、氮化硅、氧化铝中的任意一种或多种。
4.根据权利要求1所述的芯片支架,其特征在于:所述绝缘层还包括布拉格分布式全反射镜。
5.根据权利要求4所述的芯片支架,其特征在于:所述布拉格分布式全反射镜由SiO2和TiO2制作而成。
6.根据权利要求1所述的芯片支架,其特征在于:所述衬底为半导体基板、蓝宝石衬底或者陶瓷基板。
7.根据权利要求1所述的芯片支架,其特征在于:所述第一导电层和所述第二导电层自背离所述第一表面侧至所述第一表面依次为焊线层、应力缓冲层、粘附层。
8.根据权利要求7所述的芯片支架,其特征在于:所述焊线层为Au层或Al层。
9.根据权利要求7所述的芯片支架,其特征在于:所述应力缓冲层为Sn与Ni的叠层或Sn与Ni、Au的叠层或Sn与Ni、Al的叠层。
10.根据权利要求7所述的芯片支架,其特征在于:所述粘附层为Ti层或Cr层。
11.一种发光器件,其特征在于,包括:
安装基板,所述安装基板上设置有至少一支架电极对,所述支架电极对包括第一支架电极和第二支架电极;
至少一发光结构,所述发光结构包括衬底和倒装芯片;所述衬底上设置有相对的第一表面和第二表面,所述第二表面安装在所述安装基板上;所述第一表面上设置有能够分别与所述倒装芯片两电极相对应电连的第一导电层和第二导电层,所述第一导电层和所述第二导电层绝缘间隔设置;
将所述至少一发光结构与所述安装基板对应电连的至少一焊线组,所述焊线组包括第一焊线和第二焊线,所述第一焊线将所述第一导电层和所述第一支架电极相电连;所述第一焊线将所述第二导电层和所述第二支架电极相电连。
12.根据权利要求11所述的发光器件,其特征在于:所述衬底通过粘结剂粘结在所述安装基板上。
13.根据权利要求12所述的发光器件,其特征在于:所述粘结剂为环氧树脂胶。
14.根据权利要求11所述的发光器件,其特征在于:所述第一导电层与所述第二导电层之间的间隔宽度小于50μm。
15.根据权利要求11所述的发光器件,其特征在于:所述第一导电层和所述第一焊线的连接处设置有第一焊球,所述第二导电层和所述第二焊线的连接处设置有第二焊球。
16.根据权利要求11所述的发光器件,其特征在于:所述倒装芯片两电极分别与所述第一导电层和所述第二导电层相键合。
17.根据权利要求11所述的发光器件,其特征在于:所述衬底包括由半导体材料制成的衬底本体以及设置在所述衬底本体上表面上的绝缘层,所述第一表面为所述绝缘层的上表面。
18.根据权利要求17所述的发光器件,其特征在于:所述衬底本体的厚度为100~500μm。
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