[实用新型]一种芯片支架和发光器件有效

专利信息
申请号: 201921942790.X 申请日: 2019-11-12
公开(公告)号: CN210805768U 公开(公告)日: 2020-06-19
发明(设计)人: 王锋;夏章艮;何安和;赵来文;彭康伟;林素慧 申请(专利权)人: 厦门三安光电有限公司
主分类号: H01L25/075 分类号: H01L25/075;H01L33/48;H01L33/54;H01L33/62;H01L33/46
代理公司: 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 代理人: 陈敏
地址: 361100 福建省厦门*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 支架 发光 器件
【说明书】:

本实用新型提供一种芯片支架和发光器件,所述芯片为倒装芯片,所述支架包括:衬底,所述衬底的上部设置有第一表面;设置在所述第一表面上的绝缘层;设置在所述绝缘层上能够分别与所述倒装芯片相对应电连的第一导电层和第二导电层,所述第一导电层和所述第二导电层绝缘间隔设置。本实用新型芯片支架在衬底上设置有第一导电层和第二导电层,可以通过正装打线固晶的方式将固定安装在安装基板上的倒装芯片电连接,不仅能够有效解决芯片电极间距较小与安装基板上电极间距不相匹配的问题,而且也能防止因芯片电极间距较小导致的固晶困难或短路风险。

技术领域

本实用新型涉及半导体领域,具体涉及一种芯片支架和发光器件。

背景技术

随着集成电路集成度的增加,芯片的封装技术也越来越多样化,因为芯片倒装技术具有缩短封装内的互连长度,进而能够更好地适应高度集成的发展需求,目前已广泛应用于芯片封装领域。

因显示屏对像素要求的不断提升,要求像素间距(pitch)越来越小,这就要求芯片越做越小。而随着芯片尺寸的不断缩小,芯片上两电极的焊盘间距不断缩小至小于50μm,甚至小于30μm,而目前安装基板上的电极间距多大于50μm,如果改变传统钢网的间距与芯片电极相适配,不仅制作成本巨大,而且对两者键合所用的刷锡膏机台精度也要求更高,这样会造成刷锡膏的机台成本也将急剧上升。因此需要提供一种芯片支架和发光器件,来解决芯片焊盘间距越来越小与安装基板上电极间距不匹配,所导致的固晶异常问题。

实用新型内容

针对现有技术中存在的不足与缺陷,本实用新型提供一种芯片支架和发光器件,以解决芯片焊盘间距越来越小与安装基板上电极间距不匹配,所导致的固晶异常问题。

根据本实用新型的第一方面,本实用新型提供一种芯片支架,所述芯片为倒装芯片,所述支架包括:

衬底,所述衬底的上部设置有第一表面;

设置在所述第一表面上的绝缘层;

设置在所述绝缘层上能够分别与所述倒装芯片相对应电连的第一导电层和第二导电层,所述第一导电层和所述第二导电层绝缘间隔设置。

优选地,所述第一导电层与所述第二导电层之间的间隔宽度小于30μm。

优选地,所述绝缘层包括氧化硅、氮化硅、氧化铝中的任意一种或多种。

优选地,所述绝缘层还包括布拉格分布式全反射镜。

进一步地,所述布拉格分布式全反射镜由SiO2和TiO2制作而成。

优选地,所述衬底可以为半导体基板,例如Si或SiC,或者绝缘基板,例如蓝宝石衬底或者陶瓷基板。

优选地,所述第一导电层和所述第二导电层自背离所述第一表面侧至所述第一表面依次为焊线层、应力缓冲层、粘附层。

进一步地,所述焊线层为Au层或Al层。

进一步地,所述应力缓冲层为Sn与Ni的叠层或Sn与Ni、Au的叠层或Sn与Ni、Al的叠层。

进一步地,所述粘附层为Ti层或Cr层。

根据本发明的第二方面,本实用新型提供一种发光器件,包括:

安装基板,所述安装基板上设置有至少一支架电极对,所述支架电极对包括第一支架电极和第二支架电极;

至少一发光结构,所述发光结构包括衬底和倒装芯片;所述衬底上设置有相对的第一表面和第二表面,所述第一表面安装在所述安装基板上;所述第二表面上设置有能够分别与所述倒装芯片两电极相对应电连的第一导电层和第二导电层,所述第一导电层和所述第二导电层绝缘间隔设置;

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