[实用新型]一种耐冲击性好的离子注入机质量分析器前端离子传输管有效

专利信息
申请号: 201921948659.4 申请日: 2019-11-13
公开(公告)号: CN210378965U 公开(公告)日: 2020-04-21
发明(设计)人: 薛芳峰;吴方军;乔德定;严建华;喻建华;余秋根 申请(专利权)人: 德兴市意发功率半导体有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317;H01J37/05;H01L21/67;H01L21/265
代理公司: 南昌卓尔精诚专利代理事务所(普通合伙) 36133 代理人: 陈志辉
地址: 334000 江*** 国省代码: 江西;36
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摘要:
搜索关键词: 一种 冲击 离子 注入 质量 分析器 前端 传输
【说明书】:

实用新型公开了一种耐冲击性好的离子注入机质量分析器前端离子传输管,属于半导体工艺设备技术领域,其技术方案要点是,包括外弯管和内弯管,外弯管上端口的外沿铸有第一凸缘,第一凸缘的上端面同轴开设有嵌入槽,嵌入槽的侧壁径向开设有四个插槽;内弯管从外弯管的上端口插入至外弯管的内部,内弯管上端口的外沿铸有第二凸缘,第二凸缘的侧壁径向开设有四个滑槽,滑槽的上壁开设有与第二凸缘的上端面相贯通的开口,每个滑槽的内部均滑动设置有插块。该种耐冲击离子传输管具有很好的耐冲击性,即使长年累月受到高温、高速离子束的冲击,也不容易被击穿、出现漏点,确保离子注入机能够长期正常使用,同时维修起来也方便。

技术领域

本实用新型涉及半导体工艺设备技术领域,具体为一种耐冲击性好的离子注入机质量分析器前端离子传输管。

背景技术

在半导体生产工艺中,主流的杂质掺杂技术都采用离子注入技术,一般采用离子注入机实现离子注入技术。这种方法是由离子源产生等离子体,再通过质谱分析将所需的离子组分提取出来,对离子加速形成具有一定速度的离子束,并注入到半导体基片中,因此离子注入机是半导体生产工艺中十分常用的设备。质量分析器是离子注入机的核心部件,它是依据不同方式将离子源中生成的样品离子按质荷比的大小分开的仪器,可以将所需要的杂质离子从混合的离子束中分离出来。

在离子源与质量分析器之间,即质量分析器的前端连接有用于传输离子束的管道,其中单聚焦质量分析器与离子源之间的管道为具有一定半径的圆弧型管道,由于离子注入机造价昂贵,且制造技术较为精尖,因此设备投入使用数十年已经是非常常见的事,正是因为这样长时间的投入使用,现有的质量分析器前端的离子传输管长年累月受到高温、高速离子束的冲击,很容易被击穿,出现漏点,影响离子注入机的正常使用,并且维修起来也很不方便。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种耐冲击性好的离子注入机质量分析器前端离子传输管,该种耐冲击离子传输管具有很好的耐冲击性,即使长年累月受到高温、高速离子束的冲击,也不容易被击穿、出现漏点,确保离子注入机能够长期正常使用,同时维修起来也方便。

本实用新型的上述技术目的是通过以下技术方案得以实现的:一种耐冲击性好的离子注入机质量分析器前端离子传输管,包括外弯管和内弯管,所述外弯管上端口的外沿铸有第一凸缘,所述第一凸缘的上端面同轴开设有嵌入槽,所述嵌入槽的侧壁径向开设有四个插槽;所述内弯管从所述外弯管的上端口插入至所述外弯管的内部,所述内弯管上端口的外沿铸有第二凸缘,所述第二凸缘的侧壁径向开设有四个滑槽,所述滑槽的上壁开设有与所述第二凸缘的上端面相贯通的开口,每个所述滑槽的内部均滑动设置有插块,所述插块呈“L”型,其一端伸入至所述滑槽的内部并与所述滑槽的内壁贴合,另一端从所述滑槽上壁的开口中伸出。

进一步的,所述外弯管的内部结构与所述内弯管的形状尺寸完全适配,当所述内弯管完全插入所述外弯管的内部时,所述外弯管与所述内弯管的上下两端口均齐平。

进一步的,所述第二凸缘与所述嵌入槽的形状尺寸完全适配。

进一步的,所述滑槽与所述插槽的尺寸相等,且当所述内弯管完全插入所述外弯管的内部时,四个所述滑槽与四个所述插槽的位置相对应。

进一步的,所述外弯管和所述内弯管均为耐热不锈钢材质。

综上所述,本实用新型具有以下有益效果:

该种耐冲击离子传输管,由相互适配、紧密连接在一起的外弯管和内弯管组成,双层管壁具有很好的耐冲击性,同时外弯管和内弯管均为耐热材料铸成,实现即使长年累月受到高温、高速离子束的冲击,也不容易被击穿、出现漏点,确保离子注入机能够长期正常使用,并且外弯管和内弯管由端部第一凸缘和第二凸缘上的四个插槽和插块稳固连接在一起,拆装方便,便于维修。

附图说明

图1为本实用新型的外弯管和内弯管未完全组合时的整体结构图;

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