[实用新型]一种基于全硅材料的菱形太赫兹宽带吸波器

权利要求书

1.一种基于全硅材料的菱形太赫兹宽带吸波器，其特征在于：所述吸波器由超材料层(1)、基底层(2)两部分组成；超材料层(1)由单元结构为菱形的周期性阵列组成；单元结构在x和y两个方向都呈周期性排列，位于所述基底层(2)上方；当太赫兹波正入射到所述吸波器后，将被耦合进吸波器并激发电磁共振，实现宽带吸收。

2.根据权利要求1所述的一种基于全硅材料的菱形太赫兹宽带吸波器，其特征在于：所述超材料层(1)和基底层(2)的材料均为掺硼的p型硅，载流子浓度大于等于0.03×10¹⁸cm^-3，菱形单元结构在x和y两个方向上的周期分别为p_x＝170μm，p_y＝170μm，在z方向上的厚度为t＝40μm,菱形的边长为对角线长度为170μm；所述基底层(2)在z方向上的高度为h＝260μm。