[实用新型]半导体装置有效
| 申请号： | 201921977402.1 | 申请日： | 2019-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN211578748U | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 梁悳景;李勋择;李喜秀;W.李;S.D.李 | 申请（专利权）人： | 新科金朋私人有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552;H01L23/538 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 危凯权;刘茜 |
| 地址： | 新加坡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：
介入物；
电气构件，所述电气构件设置在所述介入物上；
密封剂，所述密封剂沉积在所述电气构件和介入物上；
屏蔽层，所述屏蔽层形成在所述密封剂上；
竖直互连结构，所述竖直互连结构设置在所述密封剂中；以及
开口，所述开口形成在所述竖直互连结构上所述屏蔽层中。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述介入物直接设置在载体上。
3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述屏蔽层在沟槽内接触所述载体。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括焊剂凸点，所述焊剂凸点设置在所述屏蔽层的开口中所述竖直互连结构上。
5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括天线，所述天线与所述电气构件相反地形成在所述介入物上。
6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括半导体封装，所述半导体封装与所述电气构件相反地设置在所述介入物上，其中所述半导体封装包括形成在所述半导体封装上的第二屏蔽层。
7.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：
介入物；
第一电气构件，所述第一电气构件设置在所述介入物上；
第一密封剂，所述第一密封剂沉积在所述第一电气构件上；
第一屏蔽层，所述第一屏蔽层形成在所述第一密封剂上；以及
互连结构，所述互连结构设置在所述介入物上且暴露于所述密封剂。
8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括：
第二电气构件，所述第二电气构件与所述第一电气构件相反地设置在所述介入物上；
第二密封剂，所述第二密封剂沉积在所述第二电气构件上；以及
第二屏蔽层，所述第二屏蔽层形成在所述第二密封剂上。
9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括开口，所述开口形成在所述互连结构上所述第一屏蔽层中。
10.根据权利要求9所述的半导体装置，其特征在于，所述半导体装置还包括焊剂凸点，所述焊剂凸点设置在所述第一屏蔽层的开口中所述互连结构上。
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