[实用新型]半导体装置

说明书

半导体装置，具有包括载体和设置在载体上的介入物的基板。电气构件设置在介入物的第一表面上。互连结构设置在介入物的第一表面上。密封剂沉积在电气构件、互连结构和基板上。沟槽形成为穿过密封剂和介入物到载体中。屏蔽层形成在密封剂上且形成到沟槽中。载体在形成屏蔽层之后移除。

技术领域

本发明大体上涉及半导体装置，且更特别地涉及带有电磁干扰(EMI)屏蔽的模制激光半导体封装(MLP)以及制作方法。

背景技术

半导体装置通常出现在现代电子产品中。半导体装置执行各种各样的功能，诸如，信号处理、高速计算、传送和接收电磁信号、控制电子装置、将日光变换成电力，以及产生用于电视显示器的视觉图像。半导体装置出现在通信、功率转换、网络、计算机、娱乐和消费品领域中。半导体装置还出现在军事应用、航空、汽车、工业控制器和办公设备中。

半导体装置通常容易受到电磁干扰(EMI)、射频干扰(RFI)、谐波失真或其它装置间干扰，诸如容性、感性或传导耦合，也称为串扰，串扰可干扰它们的操作。数字电路的高速切换也生成干扰。

传导层通常形成在半导体封装上，以屏蔽封装内的电子部分免受EMI和其它干扰。屏蔽层在信号可到达封装内的分立构件和半导体芯片(die)之前吸收EMI，否则EMI可导致装置故障。一些屏蔽层通常通过封装基板(substrate)电耦合到地来改进性能。

关于半导体封装屏蔽的现有方法的一个问题在于，在封装上形成屏蔽层为制造工艺增加显著的成本和若干步骤。因此，存在关于对EMI屏蔽和制造方法的改进的需要。

实用新型内容

本发明的方面和优点将在以下描述中部分地阐述，或可从描述中清楚，或可通过实施本发明来获悉。

技术方案1. 一种半导体装置，其特征在于，半导体装置包括介入物和设置在介入物上的电气构件。密封剂沉积在电气构件和介入物上。屏蔽层形成在密封剂上。竖直互连结构设置在密封剂中。开口形成在竖直互连结构上的屏蔽层中。

技术方案2. 根据技术方案1所述的半导体装置，其中介入物直接设置在载体上。

技术方案3. 根据技术方案2所述的半导体装置，其中屏蔽层在沟槽内接触载体。

技术方案4. 根据技术方案1所述的半导体装置，其中半导体装置还包括焊剂凸点，焊剂凸点设置在屏蔽层的开口中竖直互连结构上。

技术方案5. 根据技术方案1所述的半导体装置，其中半导体装置还包括天线，天线与电气构件相反地形成在介入物上。

技术方案6. 根据技术方案1所述的半导体装置，其中半导体装置还包括半导体封装，半导体封装与电气构件相反地设置在介入物上。半导体封装包括形成在半导体封装上的第二屏蔽层。

技术方案7. 一种半导体装置，其特征在于，半导体装置包括介入物和设置在介入物上的第一电气构件。第一密封剂沉积在第一电气构件上。第一屏蔽层形成在第一密封剂上。互连结构设置在介入物上且暴露于密封剂。

技术方案8. 根据技术方案7所述的半导体装置，其中半导体装置还包括第二电气构件，第二电气构件与第一电气构件相反地设置在介入物上。第二密封剂沉积在第二电气构件上。第二屏蔽层形成在第二密封剂上。

技术方案9. 根据技术方案7所述的半导体装置，其中半导体装置还包括开口，开口形成在互连结构上第一屏蔽层中。

技术方案10. 根据技术方案9所述的半导体装置，其中半导体装置还包括焊剂凸点，焊剂凸点设置在第一屏蔽层的开口中互连结构上。

参照以下描述，本发明的这些和其它特征、方面和优点将变得更好理解。结合在该说明书中且构成该说明书的一部分的附图示出本发明的实施例，且连同描述一起用来解释本发明的原理。

附图说明