[实用新型]一种高压绝缘电阻测试电路有效
申请号: | 201921987212.8 | 申请日: | 2019-11-18 |
公开(公告)号: | CN211554140U | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 张敏 | 申请(专利权)人: | 湖州荣大安装工程有限公司 |
主分类号: | G01R27/02 | 分类号: | G01R27/02 |
代理公司: | 北京华识知识产权代理有限公司 11530 | 代理人: | 乔浩刚 |
地址: | 313000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高压 绝缘 电阻 测试 电路 | ||
1.一种高压绝缘电阻测试电路,其特征在于,电阻测试电路主要包括检测控制电路和电源电路,检测控制电路中芯片IC的1IN+端口经电容C20接地,芯片IC的1IN-端口经电阻R20接电容C21,电容C21接地,同时电阻R20接芯片IC的CMPEN端口,芯片IC的CT端口分别经电容C22和电容C23接地,芯片IC的RT端口经电阻R21接地,芯片IC的GND端口接地,芯片IC的2IN+端口接电容C24电容C24分别接电阻R22和电阻R23,电阻R22接芯片IC的E2端口,电阻R23接芯片IC的E1端口,芯片IC的VREF端口和CNTLO端口同时经电容C25接电容C24,芯片IC的VCC端口和C2端口同时接变压器T,芯片IC的E2端口经电阻R24接场效应管Q1的栅极,场效应管Q1的源极接场效应管Q2的源极,场效应管Q2的漏极接总线接口线路驱动器HS1,同时场效应管Q1漏极经二极管D9接场效应管Q1的源极,场效应管Q1的漏极接变压器T,场效应管Q2的漏极接总线接口线路驱动器HS2,场效应管Q2的漏极经二极管D10接场效应管Q2的源极,场效应管Q2的漏极接变压器T,场效应管Q2的源极分别经电容C22和电容C23接二极管D8,变压器T的输出端经电容C13接二极管D8,二极管D8经电容C14接耳机管D9,电容C13经二极管D9经电容C16,电容C13接电容C15,电容C15经二极管D10接电容C16,电容C16接电容C18,电容C15经二极管D11接电容C18,电容C15接电容C17,电容C17经二极管D12接电容C18,同时电容C17经耳机挂D13接电容C18,电容C18接电源输入端正极,电容C17接电源输入端负极,电源电路中220V电源经保险丝FU接变压器T的输入端,保险丝FU经电容C1接电源输入端,变压器T的输出端接整流桥U,整流桥U的输出端并联双向稳压管VZ,双向稳压管VZ两端并联电容C2,整流桥U的输出端接三端稳压芯片LM7805的VIN端口,同时三端稳压芯片LM7805的GND端口接地,三端稳压芯片LM7805的VOUT端口经电容C3接地,三端稳压芯片LM7805的VOUT端口经电阻R1接地,电阻R1两端并联电容C4,开关K经电池E接地,开关K经二极管VD1接电阻R2,电阻R2接地,同时二极管VD1接晶体管VT1的基极,晶体管VT1的发射极接地,晶体管VT1的发射极接晶体管VT2的基极,同时开关K经电阻R3接晶体管VT2的基极,开关K接晶体管VT2的集电极,晶体管VT2的发射极接输出端正极。
2.根据权利要求1所述的一种高压绝缘电阻测试电路,其特征在于,所述检测控制电路中芯片IC采用TL494型固定频率脉宽调制电路。
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