[实用新型]一种高压绝缘电阻测试电路有效
申请号: | 201921987212.8 | 申请日: | 2019-11-18 |
公开(公告)号: | CN211554140U | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 张敏 | 申请(专利权)人: | 湖州荣大安装工程有限公司 |
主分类号: | G01R27/02 | 分类号: | G01R27/02 |
代理公司: | 北京华识知识产权代理有限公司 11530 | 代理人: | 乔浩刚 |
地址: | 313000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 高压 绝缘 电阻 测试 电路 | ||
本实用新型涉及一种高压绝缘电阻测试电路,电阻测试电路主要包括检测控制电路和电源电路,检测控制电路中芯片IC的1IN+端口经电容C20接地,芯片IC的1IN‑端口经电阻R20接电容C21,电容C21接地,芯片IC的GND端口接地,芯片IC的2IN+端口接电容C24电容C24分别接电阻R22和电阻R23,电阻R22接芯片IC的E2端口,电阻R23接芯片IC的E1端口,芯片IC的VREF端口和CNTLO端口同时经电容C25接电容C24,芯片IC的VCC端口和C2端口同时接变压器T,芯片IC的E2端口经电阻R24接场效应管Q1的栅极,本实用新型设计的电路能够及时准确的发现设备绝缘体损坏的情况,操作简单方便。
技术领域
本实用新型涉及设备电路领域,尤其涉及一种高压绝缘电阻测试电路。
背景技术
绝缘电阻是我国计量法规定的电气安全检测项目中的强检项目,在电气设备和电子装置的调试、维修过程中,核查绝缘电阻是十分重要的步骤,尤其对于非标准的特殊用途设备。通过测量绝缘电阻,可以及时发现设备绝缘体损坏的情况,比如受潮、老化和贯穿性缺陷等现象,因此应用非常广泛。原有的绝缘测试仪大多为半机械化式,阻值测量范围小,精度低,不能一机多用,显示不全等缺点。本文根据以上的缺点,设计了一宽测量范围大(1M~1T),精度高,抗干扰性强,并且能够测试电容阻值、显示吸收比和极化比的绝缘测试仪。在电网投运前,需要对线路进行大量绝缘测试,在实际操作中异常繁琐。本装置集成智能选线控制模块,可手动选线,也可自动选线进行绝缘测试。在理想状况下,可一次测试完成两组三相电缆,并记录数据及故障信息。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种高压绝缘电阻测试电路,以解决上述技术问题,为实现上述目的本实用新型采用以下技术方案:
一种高压绝缘电阻测试电路,电阻测试电路主要包括检测控制电路和电源电路,检测控制电路中芯片IC的1IN+端口经电容C20接地,芯片IC的1IN-端口经电阻R20接电容C21,电容C21接地,同时电阻R20接芯片IC的CMPEN端口,芯片IC的CT端口分别经电容C22和电容C23接地,芯片IC的RT端口经电阻R21接地,芯片IC的GND端口接地,芯片IC的2IN+端口接电容C24电容C24分别接电阻R22和电阻R23,电阻R22接芯片IC的E2端口,电阻R23接芯片IC的E1端口,芯片IC的VREF端口和CNTLO端口同时经电容C25接电容C24,芯片IC的VCC端口和C2端口同时接变压器T,芯片IC的E2端口经电阻R24接场效应管Q1的栅极,场效应管Q1的源极接场效应管Q2的源极,场效应管Q2的漏极接总线接口线路驱动器HS1,同时场效应管Q1漏极经二极管D9接场效应管Q1的源极,场效应管Q1的漏极接变压器T,场效应管Q2的漏极接总线接口线路驱动器HS2,场效应管Q2的漏极经二极管D10接场效应管Q2的源极,场效应管Q2的漏极接变压器T,场效应管Q2的源极分别经电容C22和电容C23接二极管D8,变压器T的输出端经电容C13接二极管D8,二极管D8经电容C14接耳机管D9,电容C13经二极管D9经电容C16,电容C13接电容C15,电容C15经二极管D10接电容C16,电容C16接电容C18,电容C15经二极管D11接电容C18,电容C15接电容C17,电容C17经二极管D12接电容C18,同时电容C17经耳机挂D13接电容C18,电容C18接电源输入端正极,电容C17接电源输入端负极,电源电路中220V电源经保险丝FU接变压器T的输入端,保险丝FU经电容C1接电源输入端,变压器T的输出端接整流桥U,整流桥U的输出端并联双向稳压管VZ,双向稳压管VZ两端并联电容C2,整流桥U的输出端接三端稳压芯片LM7805的VIN端口,同时三端稳压芯片LM7805的GND端口接地,三端稳压芯片LM7805的VOUT端口经电容C3接地,三端稳压芯片LM7805的VOUT端口经电阻R1接地,电阻R1两端并联电容C4,开关K经电池E接地,开关K经二极管VD1接电阻R2,电阻R2接地,同时二极管VD1接晶体管VT1的基极,晶体管VT1的发射极接地,晶体管VT1的发射极接晶体管VT2的基极,同时开关K经电阻R3接晶体管VT2的基极,开关K接晶体管VT2的集电极,晶体管VT2的发射极接输出端正极。
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