[实用新型]一种高电容结构的阵列基板

权利要求书

1.一种具有高电容结构的阵列基板，其特征在于，包括：

在阵列基板上设置有缓冲层，在缓冲层上设置有孔，孔外的缓冲层上设置有薄膜场效应晶体管；

在孔内及孔与孔之间缓冲层的面上依次设置有第一电极、第一电极绝缘层、第二电极、第二电极绝缘层和第三电极，第一电极作为下层电容结构的极板，第一电极绝缘层覆盖第一电极并作为下层电容结构的介质层，第二电极在第一电极绝缘层上并作为上下层电容结构的共用极板，第二电极绝缘层覆盖第二电极并作为上层电容结构的介质层，第三电极在第二电极绝缘层上并作为上层电容结构的极板。

2.根据权利要求1所述的一种具有高电容结构的阵列基板，其特征在于，所述薄膜场效应晶体管包括：

在孔外的缓冲层上设置有第一金属，在第一金属上设置有栅极扫描线；

在栅极扫描线上设置有栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖并包裹住栅极扫描线和第一金属；

在栅极绝缘层上设置有第二金属，在第二金属上设置有阻挡层；

在阻挡层上设置有第三金属，第三金属包裹住第二金属和阻挡层的两侧，第三金属露出阻挡层的中心部分，在第三金属上的一侧设置有源极信号线，在第三金属上的另一侧设置有漏极。