[实用新型]一种高电容结构的阵列基板

说明书

本实用新型公开一种具有高电容结构的阵列基板，包括：在阵列基板上设置有缓冲层，在缓冲层上设置有孔，孔外的缓冲层上设置有薄膜场效应晶体管；在孔内及孔与孔之间缓冲层的面上依次设置有第一电极、第一电极绝缘层、第二电极、第二电极绝缘层和第三电极，第一电极作为下层电容结构的极板；本方案的具有高电容结构的薄膜场效应晶体管，高电容结构驱动下的电路具有更好的稳压效果，可以增大储存电容的容值同时减小电容的占用面积，也具有提高面板像素密度(ppi)与缩小面板边框尺寸的优势。

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种高电容结构的阵列基板。

背景技术

有源矩阵有机发光二极管显示器(AMOLED)和高性能有源矩阵液晶显示器(AMLCD)中的快速发展，值得许多高分辨率和高帧速的显示器。阵列基板中为了使驱动电路具有更好的稳压效果，通常需要设置较大容量电容，但大容量的电容造成驱动电路的占用面积大，从而无法进一步缩小显示面板边框尺寸以及画素大小。因此如何设计和制备高性能且小尺寸的阵列基板结构成为越来越需要被攻克的研究课题。

IGZO(indium gallium zinc oxide)为铟镓锌氧化物，是一种含有铟、镓和锌的非晶氧化物，载流子迁移率是非晶硅的20至30倍，可以大大提高TFT对像素电极的充放电速率，提高像素的响应速度，具备更快的面板刷新频率，可实现超高分辨率显示面板。同时，现有的非晶硅生产线只需稍加改动即可兼容IGZO制程，因此在成本方面较低温多晶硅(LTPS)更有竞争力。

实用新型内容

为此，需要提供一种高电容结构的阵列基板，解决制作显示器设备时配备高电容时面积占用过大的问题。

为实现上述目的，发明人提供了一种具有高电容结构的阵列基板，其特征在于，所述具有高电容结构的阵列基板由上述任意一项所述制作高电容结构的阵列基板的方法制得。

本实用新型提供一种具有高电容结构的阵列基板，包括：

在阵列基板上设置有缓冲层，在缓冲层上设置有孔，孔外的缓冲层上设置有薄膜场效应晶体管；

在孔内及孔与孔之间缓冲层的面上依次设置有第一电极、第一电极绝缘层、第二电极、第二电极绝缘层和第三电极，第一电极作为下层电容结构的极板，第一电极绝缘层覆盖第一电极并作为下层电容结构的介质层，第二电极在第一电极绝缘层上并作为上下层电容结构的共用极板，第二电极绝缘层覆盖第二电极并作为上层电容结构的介质层，第三电极在第二电极绝缘层上并作为上层电容结构的极板。

进一步地，所述薄膜场效应晶体管包括：

在孔外的缓冲层上设置有第一金属，在第一金属上设置有栅极扫描线；

在栅极扫描线上设置有栅极绝缘层，栅极绝缘层覆盖并包裹住栅极扫描线和第一金属；

在栅极绝缘层上设置有第二金属，在第二金属上设置有阻挡层；

在阻挡层上设置有第三金属，第三金属包裹住第二金属和阻挡层的两侧，第三金属露出阻挡层的中心部分，在第三金属上的一侧设置有源极信号线，在第三金属上的另一侧设置有漏极。

区别于现有技术，上述技术方案制作具有高电容结构的薄膜场效应晶体管，高电容结构驱动下的电路具有更好的稳压效果，可以增大储存电容的容值同时减小电容的占用面积，也具有提高面板像素密度(ppi)与缩小面板边框尺寸的优势。

附图说明

图1为本实用新型在阵列基板上制作缓冲层与孔的剖面结构示意图；

图2为本实用新型在阵列基板上制作第一电极、第一金属和栅极扫描线的工艺流程图；

图3为本实用新型在阵列基板上制作第一电极绝缘层、栅极绝缘层、第二电极和第二金属的工艺流程图；