[实用新型]一种光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构及光伏组件

权利要求书

1.一种光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构，其特征在于，包括电池片主体、设置在所述电池片主体表面的第一隧穿氧化层、设置在所述隧穿氧化层表面的第一多晶硅薄膜层，所述电池片主体表面包括钝化接触区和吸光区，所述第一隧穿氧化层设置在所述钝化接触区，所述第一多晶硅薄膜层在所述电池片主体表面的投影在所述钝化接触区内。

2.如权利要求1所述光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构，其特征在于，还包括设置在所述第一隧穿氧化层与所述电池片主体之间的第二隧穿氧化层、第二多晶硅薄膜层，所述第二隧穿氧化层、所述第二多晶硅薄膜层在所述电池片主体的投影同时覆盖所述钝化接触区、所述吸光区。

3.如权利要求2所述光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构，其特征在于，所述第一隧穿氧化层、第二隧穿氧化层的厚度为5nm～50nm。

4.如权利要求3所述光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构，其特征在于，所述第一多晶硅薄膜层的厚度为20nm～300nm。

5.如权利要求3所述光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构，其特征在于，所述第二多晶硅薄膜层的厚度为5nm～50nm。

6.如权利要求5所述光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构，其特征在于，所述第一隧穿氧化层的厚度与所述第二隧穿氧化层的厚度相等。

7.如权利要求6所述光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构，其特征在于，所述电池片主体为单面电池片主体或双面电池片主体。

8.一种光伏组件，其特征在于，包括电池片主体以及设置在所述电池片主体的如权利要求1-7任意一项所述光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构。