[实用新型]一种光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构及光伏组件

说明书

本实用新型公开了一种光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构及光伏组件，光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构包括电池片主体、设置在所述电池片主体表面的第一隧穿氧化层、设置在所述隧穿氧化层表面的所述第一多晶硅薄膜层，所述电池片主体表面包括钝化接触区和吸光区，所述第一隧穿氧化层设置在所述钝化接触区，所述第一多晶硅薄膜层在所述电池片主体表面的投影在所述钝化接触区内。通过第一隧穿氧化层、第一多晶硅薄膜层仅仅覆盖钝化接触区，提高了该区域的钝化水平，降低了电池表面的复合，而第一隧穿氧化层、第一多晶硅薄膜层不在吸光区即非金属接触区，减少了对阳光的遮挡，提高了光吸收效率。

技术领域

本实用新型涉及光伏电池技术领域，特别是涉及一种光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构及光伏组件。

背景技术

随着太阳能光伏市场的发展，人们对高效的晶体硅电池的需求越来越急迫。而由于光伏技术的不断发展，光伏电池的制造技术成本在不断下降，市场竞争更加激烈，高质量低成本的光伏电池是提高竞争力的主要因素。

对于晶硅太阳能而言，表面钝化技术日益成熟，钝化水平趋于饱和。限制晶硅晶硅太阳能电池开路电压和转换效率进一步提升的主要因素是金属电极与晶硅表面接触区域复合电流过大，高出非金属接触区域复合电流2个数量级。

隧穿氧化层钝化接触技术可以将金属接触区域的复合，然而该结构中的硅基薄膜对太阳光的强吸收性，限制了隧穿氧化层钝化接触技术在晶硅太阳能电池正面的使用，导致晶硅太阳电池转换效率进一步提升受到阻碍。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供了一种光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构以及光伏组件，与现有量产晶硅电池量产工艺兼容，能快速地投入量产，起到快速提效降本的作用。

为解决上述技术问题，本实用新型实施例提供了一种光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构，包括电池片主体、设置在所述电池片主体表面的第一隧穿氧化层、设置在所述隧穿氧化层表面的第一多晶硅薄膜层，所述电池片主体表面包括钝化接触区和吸光区，所述第一隧穿氧化层设置在所述钝化接触区，所述第一多晶硅薄膜层在所述电池片主体表面的投影在所述钝化接触区内。

其中，还包括设置在所述第一隧穿氧化层与所述电池片主体之间的第二隧穿氧化层、第二多晶硅薄膜层，所述第二隧穿氧化层、所述第二多晶硅薄膜层在所述电池片主体的投影同时覆盖所述钝化接触区、所述吸光区。

其中，所述第一隧穿氧化层、第二隧穿氧化层的厚度为0.5nm～5nm。

其中，所述第一多晶硅薄膜层的厚度为20nm～300nm。

其中，所述第二多晶硅薄膜层的厚度为5nm～50nm。

其中，所述第一隧穿氧化层的厚度与所述第二隧穿氧化层的厚度相等。

其中，所述电池片主体为单面电池片主体或双面电池片主体。

除此之外，本实用新型实施例还提供了一种光伏组件，包括电池片主体以及设置在所述电池片主体的如上所述光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构。

本实用新型实施例所提供的光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构及光伏组件，与现有技术相比，具有以下优点：

本实用新型实施例提供的光伏电池局部隧穿氧化层钝化接触结构及光伏组件，通过第一隧穿氧化层、第一多晶硅薄膜层仅仅覆盖钝化接触区，提高了该区域的钝化水平，降低了电池表面的复合，而第一隧穿氧化层、第一多晶硅薄膜层不在吸光区即非金属接触区，减少了对阳光的遮挡，提高了光吸收效率，且与现有量产晶硅电池量产工艺兼容，能快速地投入量产，起到快速提效降本的作用。

附图说明