[实用新型]存储器

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底中形成有至少一有源区；

多条位线和多条绝缘线，形成在所述衬底上，并且所述位线和所述绝缘线相交以界定出第一分格阵列；

隔离层，形成在所述位线和所述绝缘线上，所述隔离层具有第二分格阵列图形，所述隔离层的所述第二分格阵列的图形与所述第一分格阵列的图形位置对应，并且所述第二分格阵列中的各个第二分格与所述第一分格阵列中的各个第一分格上下连通，以构成节点接触窗；以及，

节点接触结构，填充在所述节点接触窗中，并且所述节点接触结构的顶表面高于所述位线和所述绝缘线的顶表面。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述位线和所述绝缘线的顶表面齐平。

3.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述绝缘线包括沿着第一方向依次排布的多个绝缘段，所述位线沿着第二方向连续延伸；以及，所述绝缘段形成在相邻的位线之间并沿着第一方向延伸，并使所述绝缘段的两个端部分别连接至相邻的位线，以利用所述绝缘段和相邻的位线围绕出所述第一分格。

4.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述隔离层包括：形成在所述位线的顶表面上的第一隔离部，以及形成在所述绝缘线的顶表面上的第二隔离部；

其中，所述第一隔离部在垂直于位线的延伸方向上的宽度尺寸小于所述位线的宽度尺寸，以及所述第二隔离部在垂直于绝缘线的延伸方向上的宽度尺寸小于所述绝缘线的宽度尺寸。

5.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述节点接触结构包括第一接触部和第二接触部，所述第一接触部填充在所述第一分格的底部，所述第二接触部形成在所述第一接触部的上方，并由所述第一分格向上填充至所述第二分格。

6.如权利要求5所述的存储器，其特征在于，所述节点接触结构还包括中间导电层，所述中间导电层覆盖所述第一接触部的顶表面，并且还覆盖所述绝缘线的侧壁和所述隔离层的侧壁。

7.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述中间导电层的顶部和所述隔离层的顶部共平面。

8.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括间隔绝缘层，所述间隔绝缘层覆盖所述绝缘线的侧壁，以及所述中间导电层覆盖所述间隔绝缘层并向上连续延伸，以覆盖所述隔离层的侧壁。

9.如权利要求8所述的存储器，其特征在于，所述间隔绝缘层的顶部和所述绝缘线的顶部共平面。

10.如权利要求6所述的存储器，其特征在于，所述第二接触部填充在由所述中间导电层围绕出的空间中，以使所述中间导电层包覆所述第二接触部的底部和所述第二接触部的侧壁。

11.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述存储器具有器件区和周边区，以及所述至少一有源区形成在所述器件区中，所述周边区形成在所述器件区的外侧；以及，

在所述周边区中形成有晶体管器件、层间介质层和导电插塞，所述层间介质层覆盖所述晶体管器件的栅极结构的侧壁和顶表面，所述导电插塞贯穿所述层间介质层，以和所述晶体管器件电性连接。

12.如权利要求11所述的存储器，其特征在于，所述层间介质层包括第一层间介质层和第二层间介质层，所述第一层间介质层包覆所述栅极结构的侧壁，并且所述第一层间介质层顶表面与所述位线的顶表面齐平，以及所述第二层间介质层覆盖所述第一层间介质层的顶表面和所述栅极结构的顶表面，并且所述第二层间介质层的顶表面与所述隔离层的顶表面齐平。