[实用新型]存储器

说明书

本实用新型提供了一种存储器。利用位线和绝缘线界定出第一分格阵列，并在形成位线和绝缘线之后，利用隔离层进一步界定出与第一分格阵列对应的第二分格阵列，从而可以结合第一分格阵列和第二分格阵列界定出节点接触窗，进而可以自对准的填充节点接触结构在节点接触窗中。因此，本实用新型提供的存储器，在制备节点接触结构时，而并不需要对用于构成节点接触结构的导电材料执行图形化工艺，如此，即可以省略对硬度较大的导电材料执行图形化过程中的刻蚀工艺，有利于提高所形成的节点接触结构的图形精度，并且还可以避免产生聚合物，防止节点接触结构上附着有聚合物。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器。

背景技术

存储器，例如动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)，其通常包括存储电容器以及电性连接所述存储电容器的存储晶体管，所述存储电容器用于存储代表存储信息的电荷，以及所述存储晶体管可通过一节点接触结构电性连接所述存储电容器。

其中，所述节点接触结构的制备方法通常包括：

首先，沉积导电材料层在衬底上，并形成掩膜层在所述导电材料层上，以利用所述掩膜层定义出节点接触结构的图形；

接着，以所述掩膜层为掩膜刻蚀所述导电材料层，以将所述掩膜层中的图形复制至所述导电材料层中，进而形成所述节点接触结构；

最后，去除所述掩膜层，并在相邻的节点接触结构之间还填充隔离部，以使相邻的节点接触结构相互隔离。

然而需要说明的是，在如上所述的制备方法中，一方面，用于形成节点接触结构的导电材料其硬度通常较大，从而在执行刻蚀的过程中对导电材料层的刻蚀速率较低，并且还会产生较大的横向钻蚀现象，进而会对所形成的节点接触结构的形貌造成影响；另一方面，在以掩膜层为掩膜刻蚀导电材料层时，常常还会产生聚合物等副产物，该副产物容易附着于所述节点接触结构的表面上，如此将会导致所形成的节点接触结构与后续形成的存储电容器之间的接触电阻增大。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种存储器，以改善存储器中的节点接触结构的形貌。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种存储器，包括：

衬底，所述衬底中形成有至少一有源区；

多条位线和多条绝缘线，形成在所述衬底上，并且所述位线和所述绝缘线相交以界定出第一分格阵列；

隔离层，形成在所述位线和所述绝缘线上，所述隔离层具有第二分格阵列图形，所述隔离层的所述第二分格阵列的图形与所述第一分格阵列的图形位置对应，并且所述第二分格阵列中的各个第二分格与所述第一分格阵列中的各个第一分格上下连通，以构成节点接触窗；以及，

节点接触结构，填充在所述节点接触窗中，并且所述节点接触结构的顶表面高于所述位线和所述绝缘线的顶表面。

可选的，所述位线和所述绝缘线的顶表面齐平。

可选的，所述隔离层包括：形成在所述位线的顶表面上的第一隔离部，以及形成在所述绝缘线的顶表面上的第二隔离部；其中，所述第一隔离部在垂直于位线的延伸方向上的宽度尺寸小于所述位线的宽度尺寸，以及所述第二隔离部在垂直于绝缘线的延伸方向上的宽度尺寸小于所述绝缘线的宽度尺寸。

可选的，所述节点接触结构包括第一接触部和第二接触部，所述第一接触部填充在所述第一分格的底部，所述第二接触部形成在所述第一接触部的上方，并由所述第一分格向上填充至所述第二分格。

可选的，所述节点接触结构还包括中间导电层，所述中间导电层覆盖所述第一接触部的顶表面，并且还覆盖所述第一分格高于所述第一接触部的侧壁和所述第二分格的侧壁；以及，所述第二接触部填充在由所述中间导电层围绕出的空间中，以使所述中间导电层包覆所述第二接触部的底部和侧壁。