[实用新型]超薄芯片的封装结构

说明书

本实用新型提供了超薄芯片的封装结构。该超薄芯片的封装结构包括：布线层；柔性线路板介质层，柔性线路板介质层设置在布线层的表面上，且设置有开槽和通孔；超薄芯片，超薄芯片设置在开槽内，且超薄芯片的边缘与开槽的内壁之间具有间隙；柔性覆盖膜，柔性覆盖膜设置在超薄芯片远离布线层的表面上，并填充间隙；连接电极，连接电极通过通孔将超薄芯片和布线层电连接。由此，可以有效实现超薄芯片和柔性线路板的布线层的互连，且互连可靠性较高，能够实现空间上的弯折和变形，而且封装结构的整体厚度较薄，还可以实现单颗或多颗超薄芯片的嵌入式柔性集成封装。

技术领域

本实用新型涉及封装技术领域，具体的，本实用新型涉及超薄芯片的封装结构。

背景技术

目前，主流的集成电路芯片的封装技术为引线键合技术(Wire Bonding,WB)和倒装芯片技术(Flip chip,FC)。

引线键合技术是应用最广泛，也是最早的互连技术，这种技术成本低，操作简便，通过铜、金和银等金属引线将各堆叠芯片连接到基板上，为了保证互连效果的准确性和可靠性，必须留给引线的足够空间，随着芯片堆叠密度的增加，引线空间趋于极限值，这会加剧信号的拥堵和干扰，甚至会导致信号延迟，所以这种技术越来越不适应目前高密度封装趋势的要求。

倒装芯片连接技术使上下层芯片间的电信号连接由引线键合演化为焊点球键合的模式。焊点球键合不需要拉出长长的引线，大大缩短了电气连接的路径，有利于减少电阻和电感，增强了连接的可靠性，而且也比较美观，在高密度封装结构中，这种技术非常具有优势。但是倒装技术的芯片尺度非常小，要获得良好的装配率，目前依然存在不小的挑战。

因此，针对芯片的封装结构有待深入研究。

实用新型内容

本实用新型旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本实用新型的一个目的在于提出一种超薄芯片的封装结构，该封装结构中超薄芯片与柔性线路板的互连方式可靠性较高、能够实现空间上的弯折和变形，或者封装结构的整体厚度较薄。

在本实用新型的一个方面，本实用新型提供了一种超薄芯片的封装结构。根据本实用新型的实施例，该超薄芯片的封装结构包括：布线层；柔性线路板介质层，所述柔性线路板介质层设置在所述布线层的表面上，且设置有开槽和通孔，其中，所述柔性线路板介质层的材料为聚酰亚胺；超薄芯片，所述超薄芯片设置在所述开槽内，且所述超薄芯片的边缘与所述开槽的内壁之间具有间隙；柔性覆盖膜，所述柔性覆盖膜设置在所述超薄芯片远离所述布线层的表面上，并填充所述间隙；连接电极，所述连接电极通过所述通孔将所述超薄芯片和所述布线层电连接。由此，可以有效实现超薄芯片和柔性线路板的布线层的互连，且互连可靠性较高，能够实现空间上的弯折和变形，而且封装结构的整体厚度较薄，还可以实现单颗或多颗超薄芯片的嵌入式柔性集成封装。

根据本实用新型的实施例，该超薄芯片的封装结构还包括：至少一个铜柱凸块，至少一个所述铜柱凸块设置在所述超薄芯片远离所述布线层的表面上，所述连接电极通过所述通孔将所述铜柱凸块和所述布线层电连接。

根据本实用新型的实施例，所述铜柱凸块远离所述布线层的表面与所述柔性覆盖膜远离所述布线层的表面齐平。

根据本实用新型的实施例，所述间隙的宽度为0.1～0.5mm。

根据本实用新型的实施例，每一个所述开槽内对应只设置一个所述超薄芯片。

根据本实用新型的实施例，该超薄芯片的封装结构进一步包括：粘结膜，所述粘结膜设置在所述超薄芯片靠近所述布线层的表面上。

根据本实用新型的实施例，该超薄芯片的封装结构进一步包括：第一保护层，所述第一保护层覆盖所述连接电极、所述柔性覆盖膜和所述柔性线路板介质层远离所述布线层的表面。