[实用新型]用于晶圆键合的电学测试结构有效
申请号: | 201922053024.4 | 申请日: | 2019-11-25 |
公开(公告)号: | CN211404493U | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 张智侃;李杰;杨瑞坤 | 申请(专利权)人: | 格科微电子(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/544 | 分类号: | H01L23/544;H01L21/66 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 晶圆键合 电学 测试 结构 | ||
1.一种用于晶圆键合的电学测试结构,其特征在于,
所述晶圆包括正面相对彼此键合的第一晶圆和第二晶圆;
所述电学测试结构包括位于第一晶圆正面的第一测试焊盘,以及位于第一晶圆背面的表面焊盘,所述第一测试焊盘与表面焊盘电学连通。
2.如权利要求1所述的用于晶圆键合的电学测试结构,其特征在于,所述第一测试焊盘为堆叠焊盘。
3.如权利要求1所述的用于晶圆键合的电学测试结构,其特征在于,所述第一测试焊盘通过硅通孔与表面焊盘电学连通。
4.如权利要求1所述的用于晶圆键合的电学测试结构,其特征在于,进一步包括位于第二晶圆正面的第二测试焊盘,所述第二测试焊盘与第一测试焊盘电学连通。
5.如权利要求4所述的用于晶圆键合的电学测试结构,其特征在于,所述第二测试焊盘通过接触孔与第一测试焊盘电学连通。
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