[实用新型]排气装置及半导体设备有效
申请号: | 201922056924.4 | 申请日: | 2019-11-25 |
公开(公告)号: | CN211872081U | 公开(公告)日: | 2020-11-06 |
发明(设计)人: | 崔殿鹏;徐强;张涛;关亚懦 | 申请(专利权)人: | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
主分类号: | C23C16/455 | 分类号: | C23C16/455;C23C16/52;C23C16/24;H01L21/67 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 排气装置 半导体设备 | ||
1.一种排气装置,应用于半导体设备,其特征在于,包括排气管道、阀门及第一检测组件,其中:
所述排气管道连通所述半导体设备的工艺腔室和尾气处理装置;
所述阀门设置于所述排气管道上;
所述第一检测组件设置于所述排气管道上,且位于所述阀门与所述尾气处理装置之间,用于检测所述排气管道内的气体压力值或气体流量值。
2.根据权利要求1所述的排气装置,其特征在于,还包括保护管道和控制器;
所述保护管道的一端与所述排气管路位于所述阀门与所述工艺腔室之间的部分连通,所述保护管道的另一端与所述排气管路位于所述阀门与所述尾气处理装置之间的部分连通,所述保护管道上设有通断开关;
所述控制器与所述第一检测组件及所述通断开关连接,用于在所述第一检测组件检测到的所述气体压力值或气体流量值小于等于第一阈值时,控制所述通断开关导通。
3.根据权利要求2所述的排气装置,其特征在于,还包括第二检测组件,所述第二检测组件设置于所述排气管道上,且位于所述工艺腔室与所述阀门之间,用于检测所述排气管道内的气体压力值或气体流量值。
4.根据权利要求1-3任一项所述的排气装置,其特征在于,所述第一检测组件靠近所述阀门设置。
5.根据权利要求2所述的排气装置,其特征在于,所述控制器还用于,根据第一检测组件检测到的气体压力值或气体流量值与所述预设压力值或预设流量值的关系确定所述阀门是否堵塞。
6.根据权利要求5所述的排气装置,其特征在于,所述控制器还用于,在所述第一检测组件检测到的气体压力值或气体流量值小于等于所述第一阈值时,确定所述阀门已经堵塞。
7.根据权利要求6所述的排气装置,其特征在于,所述控制器还用于,在所述通断开关导通后,所述第一检测组件检测到的气体压力值或气体流量值仍然小于等于所述第一阈值时,确定所述保护管道也已经堵塞。
8.根据权利要求6所述的排气装置,其特征在于,所述控制器还用于,在确定所述阀门已经堵塞后,发出阀门清理提示信息。
9.根据权利要求7所述的排气装置,其特征在于,所述控制器还用于,在确定所述保护管道也已经堵塞后,发出安全报警信息。
10.一种半导体设备,其特征在于,包括权利要求1-9任一项所述的排气装置。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的