[实用新型]排气装置及半导体设备

说明书

本实用新型提供一种排气装置及半导体设备，该排气装置应用于半导体设备，包括排气管道、阀门及第一检测组件，其中，所述排气管道连通所述半导体设备的工艺腔室和尾气处理装置；所述阀门设置于所述排气管道上；所述第一检测组件设置于所述排气管道上，且位于所述阀门与所述尾气处理装置之间，用于检测所述排气管道内的气体压力值或气体流量值。应用本实用新型可以确定排气管道及阀门的堵塞状态，防止工艺腔室压力过大，甚至发生爆炸等，从而保护反应腔室的安全。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体地，涉及一种排气装置及半导体设备。

背景技术

化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，简称CVD)，是把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其他气体引入反应腔室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。CVD设备可以进行外延生长，以硅外延生长为例，其原理是在高温(＞1000℃)的衬底上输送硅的化合物(SiHCl₃或SiH₂Cl₂等)，与氢气(H₂)在衬底表面发生还原反应来析出硅，从而实现硅的外延生长。通常CVD设备包括传输系统、反应腔室、进气系统、排气系统及温控系统，各子系统都作用于反应腔室，以形成一个满足工艺要求的反应环境。

对于进行常压(或低压)硅外延工艺的CVD设备，工艺时所用的反应气体一般为SiHCl₃和H₂，由于SiHCl₃的性质，反应温度通常设定为＞1100℃。其中，一部分反应气体在衬底表面反应生成硅原子，反应副产物和未反应的SiHCl₃气体等气体混合物通过排气系统排放反应腔室。当温度较高的气体混合物经过不锈钢排气管道时，气体混合物的温度降低，容易沉积在排气管道里，尤其是安装在排气管道上的球阀内表面，导致反应腔室的压力波动，在硅外延片表面形成雾、颗粒等缺陷，影响产品的良率和产率；严重时会堵塞排气管道的球阀，造成反应腔室由于腔室压力过大而炸裂，危害现场人员的人身安全，造成经济等重大损失。

因此，能够实时监测排气管道内的压力及球阀的堵塞情况则十分重要。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种排气装置及半导体设备。

根据本实用新型的第一方面，提供一种排气装置，应用于半导体设备，包括排气管道、阀门及第一检测组件，其中：

所述排气管道连通所述半导体设备的工艺腔室和尾气处理装置；

所述阀门设置于所述排气管道上；

所述第一检测组件设置于所述排气管道上，且位于所述阀门与所述尾气处理装置之间，用于检测所述排气管道内的气体压力值或气体流量值。

可选地，还包括保护管道和控制器；

所述保护管道的一端与所述排气管路位于所述阀门与所述工艺腔室之间的部分连通，所述保护管道的另一端与所述排气管路位于所述阀门与所述尾气处理装置之间的部分连通，所述保护管道上设有通断开关；

所述控制器与所述第一检测组件及所述通断开关连接，用于在所述第一检测组件检测到的所述气体压力值或气体流量值小于等于第一阈值时，控制所述通断开关导通。

可选地，还包括第二检测组件，所述第二检测组件设置于所述排气管道上，且位于所述工艺腔室与所述阀门之间，用于检测所述排气管道内的气体压力值或气体流量值。

可选地，所述第一检测组件靠近所述阀门设置。

可选地，所述控制器还用于，根据检测到的气体压力值或气体流量值与所述预设压力值或预设流量值的关系确定所述阀门的堵塞程度。