[实用新型]具有肖特基金属结的半导体装置有效
| 申请号： | 201922060705.3 | 申请日： | 2019-11-26 |
| 公开（公告）号： | CN210607277U | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 单亚东;谢刚;胡丹;李武华 | 申请（专利权）人： | 广微集成技术（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/47;H01L21/329 |
| 代理公司： | 深圳市精英专利事务所 44242 | 代理人： | 刘贻盛 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市南山区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 基金 半导体 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种具有肖特基金属结的半导体装置，其特征在于：所述半导体装置包括衬底以及形成于衬底表面的外延层，所述外延层上设有多个沟槽，每一沟槽内填充有多晶硅，且所述多晶硅与沟槽之间形成有栅氧化层，该多晶硅上表面形成有第一金属层，所述外延层与多晶硅相邻的上表面处形成有第二金属层，且该外延层上表面还形成有所述第一金属层，所述第二金属层和外延层形成的肖特基势垒与第一金属层和外延层形成的肖特基势垒大小不同。
2.如权利要求1所述的具有肖特基金属结的半导体装置，其特征在于：每两个沟槽之间的外延层上表面的中部形成所述第一金属层，所述第二金属层形成于该第一金属层两侧。
3.如权利要求1所述的具有肖特基金属结的半导体装置，其特征在于：所述第二金属层的宽度为0.1-0.8μm。
4.如权利要求1所述的具有肖特基金属结的半导体装置，其特征在于：所述沟槽的深度为0.5um-5um。
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