[实用新型]一种太阳能电池硅片用匀气型薄膜沉积设备有效

专利信息
申请号: 201922068811.6 申请日: 2019-11-26
公开(公告)号: CN211142166U 公开(公告)日: 2020-07-31
发明(设计)人: 李忠涌;王岚;陈坤;苏荣;王璞 申请(专利权)人: 通威太阳能(眉山)有限公司
主分类号: C23C16/455 分类号: C23C16/455;C23C16/24;H01L31/18
代理公司: 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 代理人: 邓芸
地址: 620000 四川省*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 太阳能电池 硅片 用匀气型 薄膜 沉积 设备
【说明书】:

实用新型公开了一种太阳能电池硅片用匀气型薄膜沉积设备,涉及太阳能电池制造技术领域,本实用新型包括反应室,反应室内设置有竖直布置的热丝和托板,托板用于固定电池硅片,反应室上设置有进气口,进气口连接有位于反应室内的匀气板,匀气板内设有匀气腔,匀气板远离进气口的一侧端设置有若干个连通反应室与匀气腔的出气孔,本实用新型具有结构简单、反应气体混合均匀、制得的硅片薄膜均匀性较高的优点。

技术领域

本实用新型涉及太阳能电池制造技术领域,更具体的是涉及一种太阳能电池硅片用匀气型薄膜沉积设备。

背景技术

随着太阳能电池板技术的快速发展,太阳能电池生产规模的扩大以及降本提效口号的驱动,多个类型的太阳能电池板相继打破原有的光转换效率,而随着IBC太阳能电池以及异质结太阳能电池逐渐进入工厂化,工厂规模化生产对工艺以及设备要求更高,尤其是电池沉积工艺中,传统的薄膜沉积设备对基底硅片的影响巨大。传统的PECVD沉积法,在应用过程中具有成膜质量好、基本温度低和沉积速率快的优点,但借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成等离子体的过程中,等离子体会对基底硅片表面造成等离子体损伤,以致于制成的太阳能电池在实际应用中出现光电转换异常。

现有利用Cat-CVD沉积法制备硅片薄膜的沉积设备,在薄膜制备过程的效果好,且不会出现等离子体对基底硅片造成损伤的缺点,由于薄膜沉积的反应气源为SiH4和H2两种气体,两种气体的密度均不相同,而现有硅片薄膜沉积设备是直接将两种反应气体通入反应室内,气体混合不充分,制得的硅片薄膜均匀性较差。

故如何解决上述技术问题,对于本领域技术人员来说很有现实意义。

实用新型内容

本实用新型的目的在于:为了解决现有硅片薄膜沉积设备是直接将不同密度的反应气体通入反应室内,气体混合不充分,制得的硅片薄膜均匀性较差的技术问题,本实用新型提供一种太阳能电池硅片用匀气型薄膜沉积设备。

本实用新型为了实现上述目的具体采用以下技术方案:

一种太阳能电池硅片用匀气型薄膜沉积设备,包括反应室,反应室内设置有竖直布置的热丝和托板,托板用于固定电池硅片,反应室上设置有进气口,进气口连接有位于反应室内的匀气板,匀气板内设有匀气腔,匀气板远离进气口的一侧端设置有若干个连通反应室与匀气腔的出气孔。

进一步地,进气口设置在反应室底部,反应室顶部设置有排气口。

进一步地,托板设置有两个,热丝位于两托板之间,且热丝与两托板之间具有间隔空隙,进气口和排气口均位于两托板之间。

进一步地,匀气板顶部设置有两个对称布置的倾斜导气板,两倾斜导气板分别位于出气孔两侧,倾斜导气板用于将反应气体引导至两托板之间。

进一步地,托板侧壁设置有用于限制硅片产生位移的扣槽,扣槽对称设于电池硅片的两条对边边缘。

进一步地,托板的材质为等静压石墨。

本实用新型的有益效果如下:

1、不同密度的反应气体通过进气口先进入匀气腔内进行充分混合,再通过若干出气孔将匀气腔内的混合气体均匀排出,混合气体在热丝的热辐射作用下,逐渐沉积在电池硅片表面,制得的硅片薄膜均匀性好。

2、混合气体从出气孔出来时在两个倾斜导气板作用下均匀充斥在两托板之间,再配合热丝的热辐射作用,从而均匀沉积到电池硅片表面,从而制备出薄膜,整个过程消耗的气体量少,能提高电池硅片的沉积量,有利于节约气体消耗,从而节约生产成本。

附图说明

图1是本实用新型一种太阳能电池硅片用匀气型薄膜沉积设备的结构示意图。

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