[实用新型]单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片

权利要求书

1.一种单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，包括芯片本体以及集成于芯片本体的芯片电路，其特征在于，所述芯片电路包括衰减模块、电源保护模块以及电平转换模块；

其中，供电电压输入所述电源保护模块的输入端，所述电源保护模块的输出端分别与所述衰减模块的输入端以及所述电平转换模块的供电输入端相连接；

控制电压输入所述电平转换模块的控制输入端，所述电平转换模块的控制输出端连接所述衰减模块的控制输入端；

射频信号输入所述衰减模块，经过衰减控制后输出。

2.根据权利要求1所述的单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，其特征在于，所述衰减模块包括依次串联的多个衰减单元，所述电平转换模块相应设置有与所述衰减单元同等数量的依次并联的电平转换模块。

3.根据权利要求2所述的单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，其特征在于，所述电源保护模块包括电容C1、电阻R1组成的滤波电路、晶体管Q1，电阻R2、电阻R3；电容C1的一端与晶体管Q1的漏极连接，电容C1的另一端连接串联电阻R1后接地，晶体管Q1的漏极与栅极之间串联多个二极管以及电阻R2，晶体管Q1的栅极连接电阻R2，电阻R2的另一端连接二极管以及电阻R3，电阻R3另一端接地。

4.根据权利要求2所述的单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，其特征在于，所述电平转换模块包括反相器电路，所述反相器电路包括并联设置的正向控制反相器电路与反向控制反相器电路，输入控制电压经过正向控制反相器电路以及反向控制反相器电路产生两个互补输出正反相控制电压。

5.根据权利要求4所述的单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，其特征在于，所述正向控制反相器电路包括串联的第一反相器电路与第二反相器电路，晶体管Q4、电阻R7和晶体管Q5组成第一反相器电路，晶体管Q7、电阻R10和晶体管Q8组成第二反相器电路；所述反向控制反相器电路包括晶体管Q9、电阻R11和晶体管Q10组成第三反相器电路；其中，所述电阻R7的一端连接晶体管Q4的源极，电阻R7的另一端分别与晶体管Q4的栅极以及晶体管Q5的漏极连接，电阻R10的一端连接晶体管Q7的源极，电阻R10的另一端分别与晶体管Q7的栅极以及晶体管Q8的漏极连接，晶体管Q5的漏极与二极管D16的阳极连接，二极管D16的阴极与电阻R8连接，电阻R8另一端连接晶体管Q8的栅极；电阻R11的一端连接晶体管Q9的源极，电阻R11的另一端分别与晶体管Q9的栅极以及晶体管Q10的漏极连接，晶体管Q5的栅极与晶体管Q10之间通过电阻R12连接。

6.根据权利要求5所述的单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，其特征在于，所述电平转换模块还包括稳压电路；晶体管Q2、晶体管Q3、电阻R5、电阻R6组成第一稳压电路，电阻R5的一端连接晶体管Q2的漏极，电阻R5的另一端分别与晶体管Q2的栅极以及晶体管Q5的栅极连接，晶体管Q2的源极连接晶体管Q3的漏极，电阻R6的一端连接晶体管Q3的源极，电阻R6的另一端分别连接晶体管Q3的栅极并接地；晶体管Q6与电阻R9组成第二稳压电路，晶体管Q6的漏极连接二极管D16的阴极，晶体管Q6的源极连接电阻R9，电阻R9的另一端分别连接晶体管Q6的栅极并接地。

7.根据权利要求6所述的单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，其特征在于，所述电平转换模块还包括输入保护电路以及输出保护电路；二极管D13、D14、D15以及电阻R4组成输入保护电路，二极管D13的阳极分别连接电阻R4、二极管D14的阴极以及二极管D15的阳极，二极管D14的阳极接地，二极管D15的阴极连接晶体管Q2的源极和晶体管Q3的漏极；二极管D17、二极管D18、电容C2，以及二极管D19、二极管D20、电容C3组成输出保护电路；其中，二极管D17的阳极分别连接电容C2、二极管D18的阴极以及晶体管Q8的漏极，二极管D18的阳极以及电容C2的另一端接地；二极管D19的阳极分别连接电容C3、二极管D20的阴极以及晶体管Q10的漏极，二极管D20的阳极以及电容C3的另一端接地。