[实用新型]单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片

说明书

本申请提供一种单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，所述芯片电路包括衰减模块、电源保护模块以及电平转换模块；供电电压输入所述电源保护模块的输入端，所述电源保护模块的输出端分别与所述衰减模块的输入端以及所述电平转换模块的供电输入端相连接；控制电压输入所述电平转换模块的控制输入端，所述电平转换模块的控制输出端连接所述衰减模块的控制输入端；射频信号输入所述衰减模块，经过衰减控制后输出。与传统衰减器设计相比，本申请的衰减器通过更改传统衰减单元结构，实现了正压控制衰减器，同时单片集成驱动器，减少了控制端口，实现单电压控制衰减器，使芯片可以兼容TTL/CMOS信号，提高了单片集成度。

技术领域

本申请属于数控衰减器技术领域，尤其涉及一种单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片。

背景技术

数控衰减器是重要的微波控制电路，广泛应用于宽带通信、电子对抗系统、微波无线电通信、雷达以及空间通信等电子设备，在电路中主要起到增益设定和控制的功能，其性能对射频微波系统有着巨大影响。所以研究单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片具有重大的应用价值和现实意义。

衰减器的开关控制器件多采用GaAs赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)器件，具有导通插损更小、速度更快、截止频率更高等特点，因此成为研制数控衰减器的主流器件。衰减器常用的衰减结构主要有T型、π型、桥T型，每种结构均具有优缺点，选择合理的衰减结构与电路的成功研制是密不可分的。但是由于衰减器使用的是耗尽型GaAs开关器件，所以大部分衰减器都是由负电控制的。但是在有些整机系统中是不提供负电源的，这样负电控制的衰减器就受到了一定的限制。同时每个衰减位需要两个互补控制电压，如果想要单电压正压控制，通常需要外加TTL驱动器，则增加了应用系统的复杂性。

同时，随着系统小型化强烈需求和GaAs单片加工工艺能力的提升，芯片产品的功能更加复杂化。原本单一功能电路的需求逐步减少，更高集成度的芯片应用需求更迫切。因此，针对传统的数控衰减器负电控制实用性差、控制复杂、集成度低等问题，提供一种集成度高、通用性强、单电压正压控制的衰减器芯片是十分必要的。

实用新型内容

有鉴于此，本申请实施例提供了一种单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，更改传统衰减单元结构，实现正压控制衰减器，同时单片集成驱动器，减少了控制端口，实现单电压控制衰减器，使芯片可以兼容TTL/CMOS信号。

一种单电压正压驱动的单片数控衰减器芯片，包括芯片本体以及集成于芯片本体的芯片电路，其特征在于，所述芯片电路包括衰减模块、电源保护模块以及电平转换模块；

其中，供电电压输入所述电源保护模块的输入端，所述电源保护模块的输出端分别与所述衰减模块的输入端以及所述电平转换模块的供电输入端相连接；

控制电压输入所述电平转换模块的控制输入端，所述电平转换模块的控制输出端连接所述衰减模块的控制输入端；

射频信号输入所述衰减模块，经过衰减控制后输出。

优选的，所述衰减模块包括依次串联的多个衰减单元，所述电平转换模块相应设置有与所述衰减单元同等数量的依次并联的电平转换模块。

优选的，所述电源保护模块包括电容C1、电阻R1组成的滤波电路、晶体管Q1，电阻R2、电阻R3；电容C1的一端与晶体管Q1的漏极连接，电容C1的另一端连接串联电阻R1后接地，晶体管Q1的漏极与栅极之间串联多个二极管以及电阻R2，晶体管Q1的栅极连接电阻R2，电阻R2的另一端连接二极管以及电阻R3，电阻R3另一端接地。

优选的，所述电平转换模块包括反相器电路，所述反相器电路包括并联设置的正向控制反相器电路与反向控制反相器电路，输入控制电压经过正向控制反相器电路以及反向控制反相器电路产生两个互补输出正反相控制电压。