[实用新型]一种离子注入设备

说明书

本实用新型公开了一种离子注入设备，包括对位装置、传送装置、离子注入装置以及相连通的对位腔室和制程腔室，所述离子注入装置与所述制程腔室相连通，其中所述对位装置用于带动所述掩膜板在所述对位腔室内与待掺杂基板进行对位，并在完成对位后将所述掩膜板放置在所述传送装置上以及在完成离子注入后将放置在所述传送装置上的掩膜板取走；所述传送装置用于带动完成对位的所述待掺杂基板和掩膜板一起在所述对位腔室和制程腔室之间移动。该离子注入设备在实现对待掺杂基板精准注入的同时，可避免对离子束造成干涉，离子束也不会造成设备损耗和降低设备的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及离子注入技术，尤其涉及一种离子注入设备。

背景技术

LTPS-TFT（低温多晶硅薄膜晶体管）具有较高的载流子迁移率与高输出电流等特性，常用于高分辨率显示器上。在LTPS-TFT的制程工艺中，有源层需要进行离子掺杂以形成掺杂区域，达到改善局部性能的目的。在离子掺杂工艺中，一般采用光刻胶覆盖基板上的有源层，然后对光刻胶进行曝光显影，以露出有源层的待掺杂区域，然后才能将离子注入到预定的待掺杂区域。但是，光刻胶的涂布、曝光、刻蚀及显影和脱膜等需要多道制程，工序复杂，导致生产效率低下，生产成本高，且离子束作用在光刻胶上会导致光刻胶的表面硬化、灰化，增加了最后对光刻胶进行脱膜的难度。

在公开号为CN107346724A的专利文件中公开了一种离子注入设备和离子注入方法，其直接在制程腔室的预定工位上将掩膜板和待掺杂基板进行对位，利用掩膜板上的开口区露出待掺杂基板的掺杂区、非开口区遮挡待掺杂基板的非掺杂区来精准注入离子，节省掉了光刻胶的涂布、曝光、刻蚀及显影和脱膜等需要多道制程。

但是，由于离子注入口位于掩膜板背向待掺杂基板的一侧，该离子注入设备中将掩膜板送至预定工位上的第二传送装置在进行离子注入时可能会对离子束造成干涉，且离子束作用在第二传送装置上会对设备造成一定损耗，降低设备的使用寿命。

实用新型内容

为了解决上述现有技术的不足，本实用新型提供一种离子注入设备，在实现对待掺杂基板精准注入的同时，可避免对离子束造成干涉，离子束也不会造成设备损耗和降低设备的使用寿命。

本实用新型所要解决的技术问题通过以下技术方案予以实现：

一种离子注入设备，包括对位装置、传送装置、离子注入装置以及相连通的对位腔室和制程腔室，所述离子注入装置与所述制程腔室相连通，其中

所述对位装置用于装载掩膜板，以带动所述掩膜板在所述对位腔室内与待掺杂基板进行对位，并在完成对位后将所述掩膜板放置在所述传送装置上以及在完成离子注入后将放置在所述传送装置上的掩膜板取走；

所述传送装置用于装载所述待掺杂基板，以带动完成对位的所述待掺杂基板和掩膜板一起在所述对位腔室和制程腔室之间移动；

所述离子注入装置用于向所述制程腔室内发射离子束，以透过所述掩膜板对所述待掺杂基板进行离子注入。

进一步地，所述对位装置包括对位移动机构和设于所述对位移动机构上的抓取机构和对位感测机构，其中

所述对位移动机构用于带动所述抓取机构和对位感测机构在XY平面上平移和在Z方向上升降，XY平面平行于所述待掺杂基板的基板平面，Z方向垂直于所述待掺杂基板的基板平面；

所述抓取机构用于抓取所述掩膜板；

所述对位感测机构用于对所述掩膜板和待掺杂基板之间的对位标进行识别对位。

进一步地，所述抓取机构包括若干吸盘和/或若干电磁铁。

进一步地，所述对位感测机构包括若干对位摄像头和/或若干对位传感器。

进一步地，所述传送装置包括传送移动机构和设于所述传送移动机构上的载具机构和锁定机构，其中