[实用新型]一种基于延迟单元的低成本倍频发生器

权利要求书

1.一种基于延迟单元的低成本倍频发生器，其特征在于：包括第一延迟单元、第一反相器、第一与门、第二反相器、第二延迟单元、第三反相器、第二与门和或门；

所述第一延迟单元的输入端分别与第一与门的第二输入端、第二反相器的输入端相连，第一延迟单元的输出端与第一反相器的输入端相连；

所述第一反相器的输出端与第一与门的第一输入端相连；

所述第一与门的输出端与或门的第一输入端相连；

所述第二反相器的输出端分别与第二延迟单元的输入端、第二与门的第二输入端相连；

所述第二延迟单元的输出端与第三反相器的输入端相连；

所述第三反相器的输出端与第二与门的第一输入端相连；

所述第二与门的输出端与或门的第二输入端相连；

所述第一延迟单元的输入端作为倍频发生器的信号输入端，所述或门的输出端作为倍频发生器的信号输出端；

所述第一延迟单元的延迟时间小于倍频发生器输入信号的高电平时间；

所述第二延迟单元的延迟时间小于倍频发生器输入信号的低电平时间。

2.根据权利要求1所述的一种基于延迟单元的低成本倍频发生器，其特征在于：所述第一延迟单元包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第四NMOS管，第一PMOS管的栅极与第一NMOS管的栅极连接作为第一延迟单元的输入端，所述第一PMOS管的漏极分别与第一NMOS管的漏极、第二PMOS管的栅极、第二NMOS管的栅极和第三NMOS管的栅极连接，第二PMOS管的漏极分别与第二NMOS管的漏极和第四NMOS管的栅极连接且作为第一延迟单元的输出端，所述第一PMOS管的源极和第二PMOS管的源极均接电源正极，所述第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极、第三NMOS管的源极和漏极、第四NMOS管的源极和漏极均接地。

3.根据权利要求1或2所述的一种基于延迟单元的低成本倍频发生器，其特征在于：所述第二延迟单元与第一延迟单元电路结构相同。