[实用新型]浅沟槽隔离结构及半导体结构

权利要求书

1.一种浅沟槽隔离结构，其特征在于，包括：

浅沟槽，位于基底内；所述浅沟槽由上至下依次连通的第一级至第N级沟槽，第i级沟槽的宽度小于第i-1级沟槽的宽度；其中，N为大于等于2的整数，i为大于等于2且小于等于N的整数；

填充隔离材料，填充于所述浅沟槽内，且填满所述浅沟槽。

2.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述第一级沟槽的底部距离所述基底的上表面的距离为30nm～70nm；所述第二级沟槽的底部距离所述基底的上表面的距离为220nm～320nm。

3.根据权利要求1所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：所述基底的上表面还形成有图形化后的氧化物层及图形化后的氮化物层，其中，所述图形化后的氧化物层位于所述基底的上表面，所述图形化后的氮化物层位于所述图形化后的氧化物层的上表面。

4.根据权利要求2至3中任一项所述的浅沟槽隔离结构，其特征在于：相邻两级所述沟槽的结合处为圆角状。

5.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

如权利要求1至4中任一项所述的浅沟槽隔离结构，位于所述基底内；所述浅沟槽隔离结构于所述基底内隔离出若干个间隔排布的有源区；

若干个平行间隔排布的埋入式栅极字线，位于所述基底内；所述埋入式栅极字线的延伸方向与所述有源区的延伸方向相交在小于90度的角度。

6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于：相邻所述第一级沟槽之间的所述有源区的宽度小于相邻所述第二级沟槽之间的所述有源区的宽度2nm～12nm。

7.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于：所述埋入式栅极字线的深度至少大于所述第一级沟槽的深度。

8.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于：所述半导体结构还包括：

漏极，位于所述有源区内，且位于横跨同一所述有源区的两所述埋入式栅极字线之间；

源极，位于所述有源区内，且位于所述埋入式栅极字线远离所述漏极的一侧。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于：所述源极的深度及所述漏极的深度大于等于所述第一级沟槽的深度。

10.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于：所述基底内形成有字线沟槽，所述埋入式栅极字线位于所述字线沟槽内；其中，所述埋入式栅极字线包括：

栅间绝缘层，位于所述字线沟槽的侧壁及底部；

第一导电层，位于所述字线沟槽内，且位于所述栅间绝缘层的表面；所述第一导电层的上表面低于所述字线沟槽的顶部；

第二导电层，位于所述字线沟槽内，且位于所述第一导电层的表面；所述第二导电层的上表面低于所述字线沟槽的顶部且高于所述第一级沟槽的底部及所述第一导电层的上表面。