[实用新型]浅沟槽隔离结构及半导体结构

说明书

本实用新型涉及一种浅沟槽隔离结构及半导体结构，浅沟槽隔离结构包括：浅沟槽，位于基底内；所述浅沟槽由上至下依次连通的第一级至第N级沟槽，i级沟槽的宽度小于第i‑1级沟槽的宽度；其中，N为大于等于2的整数，i为大于等于2且小于等于N的整数；填充隔离材料，填充于所述浅沟槽内，且填满所述浅沟槽。上述浅沟槽隔离结构中的浅沟槽由上至下具有不同的宽度，可以在不增加有源区上部的宽度的前提下增加有源区下部的宽度，从而增加栅极的沟道宽度，降低源极与漏极之间的电阻，增大源极与漏极之间的电流。

技术领域

本实用新型涉及集成电路技术领域，特别是涉及一种浅沟槽隔离结构及半导体结构。

背景技术

有源区(Active Area，AA)是由浅沟槽隔离结构(Shallow Trench Isolation，STI)隔离而形成；在现有的半导体工艺中，浅沟槽隔离结构的浅沟槽通过一次性刻蚀而形成，形成的浅沟槽隔离结构的上部的宽度与下部的宽度没有明显差异。

然而，具有上述浅沟槽隔离结构的半导体器件中栅极的沟道宽度(ChannelWidth)较窄，源极与漏极之间的电阻较大，导致工作时源极与漏极之间的电流较小，从而影响器件的性能。为了将栅极的沟道宽度提高至所需的要求，则必须增加有源区的整体宽度，而有源区宽度的增加会导致相邻有源区之间的间距太小而导致相邻有源区短路。

实用新型内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种浅沟槽隔离结构及半导体结构，在不增加有源区的上部的宽度的前提下即可增加沟道宽度，提高源漏极之间的电流，且不影响有源区内形成的位线接触结构及存储节点接触结构的性能。

本实用新型提供一种浅沟槽隔离结构，包括：

浅沟槽，位于基底内；所述浅沟槽由上至下依次连通的第一级至第N级沟槽，第i级沟槽的宽度小于第i-1级沟槽的宽度；其中，N为大于等于2的整数，i为大于等于2且小于等于N的整数；

填充隔离材料，填充于所述浅沟槽内，且填满所述浅沟槽。

上述浅沟槽隔离结构中的浅沟槽由上至下具有不同的宽度，可以在不增加有源区上部的宽度的前提下增加有源区下部的宽度，从而增加栅极的沟道宽度，降低源极与漏极之间的电阻，增大源极与漏极之间的电流。

在一个可选的实施例中，所述第一级沟槽的底部距离所述基底的上表面的距离为30nm～70nm；所述第二级沟槽的底部距离所述基底的上表面的距离为220nm～320nm。

在一个可选的实施例中，所述基底的上表面还形成有图形化后的氧化物层及图形化后的氮化物层，其中，所述图形化后的氧化物层位于所述基底的上表面，所述图形化后的氮化物层位于所述图形化后的氧化物层的上表面。

在一个可选的实施例中，相邻两级所述沟槽的结合处为圆角状。

本实用新型还提供一种半导体结构，包括：

基底；

如上述任一方案中所述的浅沟槽隔离结构，位于所述基底内；所述浅沟槽隔离结构于所述基底内隔离出若干个间隔排布的有源区；

若干个平行间隔排布的埋入式栅极字线，位于所述基底内；所述埋入式栅极字线的延伸方向与所述有源区的延伸方向相交在小于90度的角度。

上述半导体结构的中的浅沟槽由上至下具有不同的宽度，可以在不增加有源区上部的宽度的前提下增加有源区下部的宽度，从而增加栅极的沟道宽度，降低源极与漏极之间的电阻，增大源极与漏极之间的电流；由于有源区上部的宽度不需要增加，不影响有源区内形成的位线接触结构及存储节点接触结构的性能。

在一个可选的实施例中，相邻所述第一级沟槽之间的所述有源区的宽度小于相邻所述第二级沟槽之间的所述有源区的宽度2nm～12nm。