[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板和显示面板

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：

有源层，所述有源层包括沟道区；

栅绝缘层，位于所述有源层的一侧；所述栅绝缘层包括层叠设置的至少两层栅绝缘介质层，所述栅绝缘层包括凹槽；

栅电极层，位于所述栅绝缘层远离所述有源层的一侧；部分所述栅电极层位于所述凹槽外，位于所述凹槽外的所述栅电极层与所述有源层之间的距离为第一距离，另一部分所述栅电极层位于所述凹槽内，位于所述凹槽内的所述栅电极层与所述有源层的距离为第二距离，所述第一距离大于所述第二距离。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述至少两层栅绝缘介质层包括：第一栅绝缘介质层和第二栅绝缘介质层；

所述第一栅绝缘介质层位于所述有源层和所述第二栅绝缘介质层之间，所述第二栅绝缘介质层设置有第一凹槽，部分所述栅电极层位于所述第一凹槽内。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述至少两层栅绝缘介质层包括：第一栅绝缘介质层和第二栅绝缘介质层；

所述第二栅绝缘介质层位于所述有源层和所述第一栅绝缘介质层之间，所述第二栅绝缘介质层设置有第二凹槽，部分所述第一栅绝缘介质层位于所述第二凹槽。

4.根据权利要求2或3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一栅绝缘介质层的介电常数大于所述第二栅绝缘介质层的介电常数。

5.根据权利要求2或3所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第二栅绝缘介质层的厚度与所述第一栅绝缘介质层的厚度比为α，0＜α＜0.5。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述凹槽的面积与所述沟道区的面积比为β，0.65＜β＜0.95。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅结构。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为底栅结构；

所述薄膜晶体管还包括缓冲层，所述缓冲层位于所述栅电极层远离所述有源层的一侧；所述缓冲层包括凸起；部分所述栅电极层位于所述凸起边缘，位于所述凸起边缘的所述栅电极层与所述有源层之间的距离为第三距离，另一部分所述栅电极层位于所述凸起顶部，位于所述凸起顶部的所述栅电极层距离所述有源层之间的距离为第四距离，所述第三距离大于所述第四距离。

9.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底和位于所述衬底上的如权利要求1-8任一项所述的薄膜晶体管。

10.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求9所述的阵列基板。