[实用新型]薄膜晶体管、阵列基板和显示面板

说明书

本实用新型实施例公开了一种薄膜晶体管、阵列基板和显示面板。该薄膜晶体管包括：有源层，所述有源层包括沟道区；栅绝缘层，位于所述有源层的一侧；所述栅绝缘层包括层叠设置的至少两层栅绝缘介质层，所述栅绝缘层包括凹槽，所述凹槽在所述有源层上的垂直投影与所述有源层的沟道区交叠；栅电极层，位于所述栅绝缘层远离所述有源层的一侧；部分所述栅电极层位于所述凹槽外，位于所述凹槽外的所述栅电极层与所述有源层之间的距离为第一距离，另一部分所述栅电极层位于所述凹槽内，位于所述凹槽内的所述栅电极层与所述有源层的距离为第二距离，所述第一距离大于所述第二距离。与现有技术相比，本实用新型实施例减小了薄膜晶体管的关态电流。

技术领域

本实用新型实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管、阵列基板和显示面板。

背景技术

随着显示技术的不断发展，显示面板得到了越来越广泛的应用，人们对显示面板的要求也越来越高。其中，显示面板的低功耗和稳定性成为评价显示面板性能的重要指标。

现有的显示面板的显示由阵列基板上的驱动阵列提供驱动信号，阵列基板上设置有数量众多的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)，TFT的性能对显示面板的功耗和稳定性起到了决定性的作用。然而，现有的TFT存在关态电流较大的问题，影响了显示面板的功耗和稳定性。

实用新型内容

本实用新型实施例提供一种薄膜晶体管、阵列基板和显示面板，以减小TFT的关态电流。

为实现上述技术目的，本实用新型实施例提供了如下技术方案：

一种薄膜晶体管，包括：

有源层，所述有源层包括沟道区；

栅绝缘层，位于所述有源层的一侧；所述栅绝缘层包括层叠设置的至少两层栅绝缘介质层，所述栅绝缘层包括凹槽；

栅电极层，位于所述栅绝缘层远离所述有源层的一侧；部分所述栅电极层位于所述凹槽外，位于所述凹槽外的所述栅电极层与所述有源层之间的距离为第一距离，另一部分所述栅电极层位于所述凹槽内，位于所述凹槽内的所述栅电极层与所述有源层的距离为第二距离，所述第一距离大于所述第二距离。

从上述技术方案可以看出，本实用新型实施例设置部分栅电极层位于栅绝缘层的凹槽内，使得栅电极层也形成一凹槽结构。其中，栅电极层的中间部分与有源层的距离较近，两者之间产生的电场强度较强，定义为强电场区；栅电极层的两侧与有源层的距离较远，两者之间产生的电场强度较弱，定义为弱电场区。当TFT在截止状态时，栅电极层两侧的弱电场区可有效阻止载流子(电子或空穴)的传输路径，从而减少TFT的漏电流。由于多晶硅晶界中的缺陷态会释放大量的电子或空穴，造成低温多晶硅TFT相比于其他类型的TFT具有较大的关态电流(漏电流)，本实用新型实施例提供的TFT的栅电极层两侧的弱电场区有利于阻止这些电子或空穴的传输，从而减小TFT的关态电流。

本实用新型实施例提供的TFT除了具有减小关态电流的有益效果之外，还可以具有以下有益效果：

第一方面，由于栅绝缘层包括至少两层栅绝缘介质层，栅电极层和有源层之间的介质材料包括至少两种，因此，强电场区的栅绝缘介质层和弱电场区的栅绝缘介质层不仅厚度不同，其材料也不同。具体地，强电场区的栅绝缘介质层的材料可以包括介电常数较大的材料，例如High-K，以增强TFT的栅电极的控制力；弱电场区的栅绝缘介质层的材料可以包括介电常数较小的材料，例如氧化硅或氮化硅，以进一步抑制TFT的关态电流。

第二方面，由于栅绝缘层包括至少两层栅绝缘介质层，可以在至少两层栅绝缘介质层中的任意一层设置一凹槽，因此，只需刻蚀栅绝缘介质层中的一层即可形成栅绝缘层上的凹槽，以使栅绝缘层整体包括凹槽，而其他的栅绝缘介质层无需进行刻蚀，有利于减少刻蚀对栅绝缘层的影响。

进一步地，所述至少两层栅绝缘介质层包括：第一栅绝缘介质层和第二栅绝缘介质层；