[实用新型]芯片保护环与集成电路器件

权利要求书

1.一种芯片保护环，其特征在于，包括本体部和拐角部；

所述本体部包括多条金属环和隔离环，所述隔离环设置于相邻的两条所述金属环之间，所述金属环和所述隔离环均为八边形结构，所述金属环在垂直于芯片衬底的方向上为第一叠层结构，所述金属环与所述衬底电连接；

所述拐角部包括金属块，所述金属块在所述衬底上的投影为弓形，所述金属块在垂直于所述衬底的方向上为第二叠层结构，所述金属块与所述衬底电连接；

所述拐角部设置于所述衬底的四个拐角处，且所述拐角部与所述本体部在所述衬底上的投影不重叠。

2.根据权利要求1所述的芯片保护环，其特征在于，所述金属块的面积小于预设三角区域的面积。

3.根据权利要求2所述的芯片保护环，其特征在于，所述金属块位于所述预设三角区域内。

4.根据权利要求1所述的芯片保护环，其特征在于，所述金属块的面积大于或等于预设三角区域的面积。

5.根据权利要求4所述的芯片保护环，其特征在于，所述金属块的局部位于所述预设三角区域外。

6.根据权利要求1所述的芯片保护环，其特征在于，所述第一叠层结构包括多层第一金属层、多个第一通孔、多层第一介质层和第一接触孔，所述第一介质层位于两层所述第一金属层之间，多层所述第一金属层通过所述第一通孔电连接。

7.根据权利要求6所述的芯片保护环，其特征在于，所述衬底包括第一重掺杂区，所述第一叠层结构位于所述第一重掺杂区上方，所述第一重掺杂区上方的第一层金属层通过所述第一接触孔与所述第一重掺杂区电连接。

8.根据权利要求1或6所述的芯片保护环，其特征在于，所述第二叠层结构均包括多层第二金属层、多个第二通孔、多层第二介质层和第二接触孔，所述第二介质层位于两层所述第二金属层之间，多层所述第二金属层通过所述第二通孔电连接。

9.根据权利要求8所述的芯片保护环，其特征在于，所述衬底包括第二重掺杂区，所述第二叠层结构位于所述第二重掺杂区上方，所述第二重掺杂区上方的所述第二金属层通过所述二接触孔与所述第二重掺杂区电连接。

10.根据权利要求8所述的芯片保护环，其特征在于，多个所述第二通孔均呈条状，且朝向远离所述金属环的方向依次排布。

11.根据权利要求10所述的保护环，其特征在于，多个所述第二通孔相互平行。

12.根据权利要求1所述的芯片保护环，其特征在于，所述金属环接地。

13.一种集成电路器件，其特征在于，包括权利要求1～12任一项所述的芯片保护环。