[实用新型]芯片保护环与集成电路器件

说明书

本公开是关于一种芯片保护环与集成电路器件，该芯片保护环包括本体部和拐角部；所述本体部包括多条金属环和隔离环，所述隔离环设置于相邻的两条所述金属环之间，所述金属环和所述隔离环均为八边形结构，所述金属环在垂直于芯片衬底的方向上为第一叠层结构，所述金属环与所述衬底电连接；所述拐角部包括金属块，所述金属块在所述衬底上的投影为弓形，所述金属块在垂直于所述衬底的方向上为第二叠层结构，所述金属块与所述衬底电连接；所述拐角部设置于所述衬底的四个拐角处，且所述拐角部与所述本体部在所述衬底上的投影不重叠。本公开提供的芯片保护环，能够增强对芯片的保护作用。

技术领域

本公开涉及半导体制造技术领域，具体而言，涉及一种芯片保护环与集成电路器件。

背景技术

在半导体制造工艺中，通过光刻、刻蚀以及沉积等工艺可以在半导体衬底上形成包括半导体有源器件以及设置在器件上的互连结构的半导体芯片。通常，在一个晶圆上可以形成多个芯片，最后再将这些芯片从晶圆上切割下来，进行封装工艺，形成集成电路。在切割芯片的过程中，切割刀所产生的应力会对芯片的边缘造成损害，甚至会导致芯片发生崩塌。

现有技术中，为了防止芯片在切割时受到损伤，在芯片的有源器件区域外围设置保护环，该保护环可以阻挡切割刀产生的应力造成有源器件区域不想要的应力破裂，并且芯片保护环可以阻挡水汽渗透例如含酸物质、含碱物质或污染源的扩散造成的化学损害，还可以在一定程度上防止芯片外部电子干扰等。

但是，利用现有技术的保护环进行密封时，芯片边缘部分仍然存在出现破裂损伤等问题。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种芯片保护环与集成电路器件，能够增强对芯片的保护作用。

根据本公开的一个方面，提供了一种芯片保护环，该芯片保护环包括本体部和拐角部；

所述本体部包括多条金属环和隔离环，所述隔离环设置于相邻的两条所述金属环之间，所述金属环和所述隔离环均为八边形结构，所述金属环在垂直于芯片衬底的方向上为第一叠层结构，所述金属环与所述衬底电连接；

所述拐角部包括金属块，所述金属块在所述衬底上的投影为弓形，所述金属块在垂直于所述衬底的方向上为第二叠层结构，所述金属块与所述衬底电连接；

所述拐角部设置于所述衬底的四个拐角处，且所述拐角部与所述本体部在所述衬底上的投影不重叠。

在本公开的一种示例性实施例中，所述金属块的面积小于预设三角区域的面积。

在本公开的一种示例性实施例中，所述金属块位于所述预设三角区域内。

在本公开的一种示例性实施例中，所述金属块的面积大于或等于预设三角区域的面积。

在本公开的一种示例性实施例中，所述金属块的局部位于所述预设三角区域外。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一叠层结构包括多层第一金属层、多个第一通孔、多层第一介质层和第一接触孔，所述第一介质层位于两层所述第一金属层之间，多层所述第一金属层通过所述第一通孔电连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述衬底包括第一重掺杂区，所述第一叠层结构位于所述第一重掺杂区上方，所述第一重掺杂区上方的第一层金属层通过所述第一接触孔与所述第一重掺杂区电连接。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第二叠层结构均包括多层第二金属层、多个第二通孔、多层第二介质层和第二接触孔，所述第二介质层位于两层所述第二金属层之间，多层所述第二金属层通过所述第二通孔电连接。