[实用新型]超薄成像芯片和成像模组有效
申请号: | 201922122376.0 | 申请日: | 2019-12-02 |
公开(公告)号: | CN211320100U | 公开(公告)日: | 2020-08-21 |
发明(设计)人: | 王腾;王威;姜迪 | 申请(专利权)人: | 多感科技(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 董琳 |
地址: | 201899 上海市嘉定区菊园*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 超薄 成像 芯片 模组 | ||
1.一种超薄成像芯片,其特征在于,包括:
图像传感器,包括衬底及形成于所述衬底的第一表面的像素层,所述衬底具有预设厚度;
位于所述衬底内的对应于像素面成像区域的透光区域。
2.根据权利要求1所述的超薄成像芯片,其特征在于,还包括:位于所述衬底的第二表面上的具有开口的遮光层,所述衬底被所述开口暴露的区域为所述透光区域,所述透光区域针对能够透过所述衬底的波长范围的光。
3.根据权利要求1所述的超薄成像芯片,其特征在于,还包括:在衬底内形成底部到达像素层的导光孔;填充于所述导光孔内的透明材料层,所述导光孔所在区域为所述透光区域。
4.根据权利要求3所述的超薄成像芯片,其特征在于,还包括:位于所述衬底的第二表面上的具有开口的遮光层,所述开口与所述导光孔对应。
5.根据权利要求2或4所述的超薄成像芯片,其特征在于,所述透光区域的光线入射端尺寸小于对应的成像区域的尺寸,满足在所述像素层内小孔成像的要求。
6.根据权利要求1所述的超薄成像芯片,其特征在于,还包括:位于所述衬底的第二表面上的与所述透光区域位置对应的微透镜。
7.一种成像模组,其特征在于,包括:
基板,所述基板表面形成有电连接层;
至少一个如权利要求1至6中任一项所述的超薄成像芯片,所述超薄成像芯片的像素层朝向所述基板表面组装于所述基板上,使得所述像素层与所述基板表面的电连接层之间形成电连接。
8.根据权利要求7所述的成像模组,其特征在于,所述超薄成像芯片的像素层表面形成有互连结构;所述超薄成像芯片通过倒装工艺组装于所述基板上,所述互连结构与所述基板表面的电连接层之间具有电连接。
9.根据权利要求7所述的成像模组,其特征在于,组装于所述基板表面的功能器件,所述功能器件与所述电连接层之间具有电连接。
10.根据权利要求7所述的成像模组,其特征在于,所述基板上组装有具有不同成像性能的多个所述超薄成像芯片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的