[实用新型]一种等离子处理系统有效
申请号: | 201922136870.2 | 申请日: | 2019-12-03 |
公开(公告)号: | CN211016999U | 公开(公告)日: | 2020-07-14 |
发明(设计)人: | 李义群 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 虞凌霄 |
地址: | 230001 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 等离子 处理 系统 | ||
本实用新型公开了一种等离子处理系统,包括:真空腔体,等离子发生部件,控制装置,以及与控制装置电连接的下部电极、第一匹配器、第二匹配器、第一射频电源、第二射频电源;所述真空腔体内设置有样品座,样品座的外围设置有至少一个超声波发生装置,超声波发生装置与控制装置电连接;所述下部电极设置在样品座处;所述第一匹配器的一端与第一射频电源连接,第一匹配器的另一端与下部电极连接;第二匹配器的一端与第二射频电源连接,第二匹配器的另一端与等离子发生部件连接。采用本实用新型提高了产品良率。
技术领域
本实用新型涉及半导体设备技术领域,尤其涉及一种等离子处理系统。
背景技术
等离子处理系统被广泛的应用于显示器件、光电器件、分立电子器件、以及集成电路的制造工艺中,以实现对晶片的薄膜沉积、溅射以及蚀刻等工艺。如何有效的避免等离子处理工艺过程中的不利影响因素,从而提高等离子处理工艺的效果,进而提高产品的良率,是工程研发人员持续关注的重点之一。
实用新型内容
针对上述问题,本实用新型提出了一种等离子处理系统,提高了等离子体处理效果,提高了产品良率。
本实用新型提供了一种等离子处理系统,该系统包括:真空腔体,等离子发生部件,控制装置,以及与控制装置电连接的下部电极、第一匹配器、第二匹配器、第一射频电源、第二射频电源;
所述真空腔体内设置有样品座,样品座的外围设置有至少一个超声波发生装置,超声波发生装置与控制装置电连接;
所述下部电极设置在样品座处;
所述第一匹配器的一端与第一射频电源连接,第一匹配器的另一端与下部电极连接;
第二匹配器的一端与第二射频电源连接,第二匹配器的另一端与等离子发生部件连接。
其中,所述等离子发生部件为上部电极或螺旋线圈。
其中,还包括抽真空装置以及与抽真空装置连接的尾气处理装置。
其中,所述超声波发生装置与真空腔体的连接方式为可拆卸连接。
其中,超声波发生装置的输出功率为50-500W。
其中,超声波发生装置的输出功率密度为1-200W/cm2。
其中,超声波发生装置输出的超声波的频率控制在20-100KHz。
其中,所述控制装置还连接有检测装置,所述检测装置设置在真空腔体内;
所述检测装置,用于检测真空腔体内的附着物的量。
其中,所述超声波发生装置的一端设置有控制开关,所述控制开关与控制装置连接。
其中,还包括时钟电路单元,所述时钟电路单元的一端与控制装置连接,时钟电路单元的另一端与控制开关连接。
本实用新型的真空腔体内设置有超声波发生装置,在等离子处理工艺中超声波发生装置均匀的向晶片发射平行于晶片的超声波,有效解决了副产物在晶片上的附着的问题,提高了产品良率,为后制程打下了良好的基础。
附图说明
图1是现有技术中副产物对蚀刻图形影响的示意图。
图2是现有技术中副产物影响蚀刻图形的示例图。
图3a是本实用新型一种等离子处理系统的第一种实施例的示意图。
图3b是本实用新型第一实施例的等离子处理系统的腔室俯视图。
图4是本实用新型一种等离子处理系统的第二种实施例的示意图。
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