[实用新型]一种实时保持混酸浓度恒定的装置有效
申请号: | 201922137862.X | 申请日: | 2019-12-03 |
公开(公告)号: | CN211555914U | 公开(公告)日: | 2020-09-22 |
发明(设计)人: | 郭丽;鲁贵林;杨飞飞;张尧 | 申请(专利权)人: | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L21/67 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
地址: | 046000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 实时 保持 浓度 恒定 装置 | ||
本实用新型涉及太阳能电池硅片生产领域,一种实时保持混酸浓度恒定的装置,包括槽体4、滚轮和硅片1,滚轮安装在槽体4中,硅片下表面与滚轮接触,该实时保持混酸浓度恒定的系统还包括安装在槽体4底部的搅拌器2、安装在槽体4处于滚轮下部的带孔网板3、与槽体4底部通过混合液阀门6管道联通的活塞体容腔5、安装在活塞体容腔5中的活塞和液压装置7、与活塞体容腔5通过刻蚀阀门管道联通的刻蚀液、安装在槽体4用于测量刻蚀液离子浓度的测量装置、PLC,混合液阀门6、测量刻蚀液离子浓度的测量装置、刻蚀阀门、活塞和液压装置7电信号连接PLC。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池硅片生产领域,特别涉及扩散制结后清除表面的磷硅玻璃过程中的混酸补充领域。
背景技术
在光伏电池中湿法工艺总作用可分为两个方面:一是有效的减少太阳光在硅片表面的反射损失,提高太阳能转换效率的一个重要的方法结构表面织构化,在太阳能电池表面形成绒面不仅可以降低表面的反射率,而且还可以在电池的内部形成光陷阱,从而显著的提高电池的转换效率;二是由于阳能电池片生产制造过程中的扩散过程中,采用背靠背扩散,硅片的所有表面包括边缘都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面,而造成短路,这就需要在扩散制结后清除表面的磷硅玻璃。在这两个作用中都要用到化学品,而所有的湿法工艺用的化学品在使用时,都有一个消耗的过程。因此,这就需要外界进行不断的补充的过程,否则反应不充分就会出现过程不良片。通常来说,化学品补充即为补液,补液次数与补液时间的值是个经验值,且需要操作员,通过测刻蚀量来进行不断修正,相对具有一定的滞后性。况且自动补液一般不改,加上不能根据不能针对片子的尺寸,片间距,每道的片数来做调整, 所以槽体浓度不能做到实时修正,仍然造成不良片。这就需要操作员不断手动测片,了解当前槽体刻蚀情况即浓度,并进行跟踪补液。这样的重复性的工作,不仅工作量大,经验性强,可靠性差,而且过刻和欠刻现象时有发生,这将势必影响刻蚀质量。
因此,人们迫切需要一种在线自动检控刻蚀浓度的装置,将刻蚀浓度控制在目标范围之内,从而保证刻蚀的有效性与稳定性。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是:如何克服了传统湿法补液存在滞后性,工作量大,重复性高等缺陷的问题。
本发明所采用的技术方案是:一种实时保持混酸浓度恒定的装置,包括槽体(4)、滚轮和硅片(1),滚轮安装在槽体(4)中,硅片下表面与滚轮接触,该实时保持混酸浓度恒定的系统还包括安装在槽体(4)底部的搅拌器(2)、安装在槽体(4)处于滚轮下部的带孔网板(3)、与槽体(4)底部通过混合液阀门(6)管道联通的活塞体容腔(5)、安装在活塞体容腔(5)中的活塞和液压装置(7)、与活塞体容腔(5)通过刻蚀阀门管道联通的刻蚀液、安装在槽体(4)用于测量刻蚀液离子浓度的测量装置、PLC,混合液阀门(6)、测量刻蚀液离子浓度的测量装置、刻蚀阀门、活塞和液压装置(7)电信号连接PLC。
搅拌器(2)由电机和安装在电机输出轴上的搅拌叶片构成。现有技术中已经广泛存在本专利不对搅拌器多做说明。
带孔网板(3)为一块塑料材质的平板,其完整覆盖槽体(4)的一个横截面,平板上有对个孔径为1-5mm的小孔,四周通过螺栓连接或者沟槽连接固定在槽体(4)中,其距离滚轮的高度为5-10mm。
活塞体容腔(5)为一个圆筒,其上部开口连接有活塞和液压装置(7),圆筒侧壁上有开口,该开口通过刻蚀阀门管道连接刻蚀液储料仓中的刻蚀液。
活塞和液压装置(7)为在液压装置的伸缩臂上安装活塞,液压装置为现有技术中常用的液压装置,其电信号连接PLC。
混合液阀门(6)为常用普通液体阀门,其由塑料材料制备。
刻蚀阀门与刻蚀液种类一一对应,刻蚀阀门为带流量计的电磁阀阀门,可以看成是由一个普通电磁阀阀门和一个流量计串联而成。当刻蚀液为硝酸和氢氟酸时,硝酸对应一个刻蚀阀门,氢氟酸对应一个刻蚀阀门。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的