[实用新型]晶圆承载装置有效
申请号: | 201922148173.9 | 申请日: | 2019-12-04 |
公开(公告)号: | CN210837705U | 公开(公告)日: | 2020-06-23 |
发明(设计)人: | 黄子朋 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;高翠花 |
地址: | 230001 安徽省合肥市蜀山*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 承载 装置 | ||
本实用新型提供一种晶圆承载装置,设置在反应腔室中,所述反应腔室内设置有主轨道及辅助轨道,所述辅助轨道设置在所述主轨道下方,晶圆承载装置包括:主载台,可滑动地设置在主轨道上,主载台能够沿一个或多个方向运动;辅助载台,设置在主载台下方,且辅助载台可滑动地设置在辅助轨道上,辅助载台能够沿一个或多个方向运动,辅助载台的运动方向与主载台的运动方向相反;控制器,用于检测主载台的运动方向,并根据主载台的运动方向控制辅助载台的运动方向;承载台,用于承载晶圆,承载台设置在主载台上,且与主载台可转动连接,当承载台旋转而带动主载台运动时,辅助载台与主载台做同步反向运动,以调平反应腔室。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造领域,尤其涉及一种晶圆承载装置。
背景技术
通常,当晶圆在反应腔室内进行外延生长或者曝光等工艺时,要求晶圆在晶圆载台的带动下能够在反应腔室内水平高速旋转。晶圆载台的高速运作会带来反应腔室的倾斜和晃动,需要对反应腔室进行调节,以使晶圆能够水平旋转。
目前,在某些设备上采用空气开关(air-switch)来对反应腔室进行调平。其缺点在于,如果晶圆载台运动幅度过大,反应腔室倾斜的幅度也就更大,这会对空气开关和气缸造成损伤,另外,反应腔室倾斜的幅度过大极有可能触发设备的红外传感器,而导致设备宕机。若触发红外传感器而导致设备宕机,则就必须调节红外传感器的位置,使设备能够重新工作,而红外传感器的位置不易调节,调节过程需要3小时或者更长,严重影响设备机台的产量。
因此,如何避免反应腔室倾斜的幅度过大成为目前亟需解决的问题。
实用新型内容
本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种晶圆承载装置,其能够避免反应腔室倾斜的幅度过大,维持所述反应腔室的水平。
为了解决上述问题,本实用新型提供了一种晶圆承载装置,设置在反应腔室中,所述反应腔室内设置有主轨道及辅助轨道,所述辅助轨道设置在所述主轨道下方,所述晶圆承载装置包括:主载台,可滑动地设置在所述主轨道上,所述主载台能够沿一个或多个方向运动;辅助载台,设置在所述主载台下方,且所述辅助载台可滑动地设置在所述辅助轨道上,所述辅助载台能够沿一个或多个方向运动,所述辅助载台的运动方向与所述主载台的运动方向相反;控制器,用于检测所述主载台的运动方向,并根据所述主载台的运动方向控制所述辅助载台的运动方向;承载台,用于承载晶圆,所述承载台设置在所述主载台上,且与所述主载台可转动连接,当所述承载台旋转而带动所述主载台运动时,所述辅助载台与所述主载台做同步反向运动,以调平所述反应腔室。
进一步,所述主轨道与所述辅助轨道平行。
进一步,所述主轨道及所述辅助轨道均由两条并行设置的轨道组成。
进一步,所述主载台与所述承载台共同具有第一中心,所述辅助载台具有第二中心,所述第一中心与所述第二中心在同一直线上。
进一步,所述辅助载台的运动行程与所述主载台的运动行程相同。
进一步,所述辅助载台的运动速率与所述主载台的运动速率相同。
进一步,所述主载台重量与所述承载台重量之和与所述辅助载台的重量相等。
进一步,所述主载台包括:第一滑动块,设置在所述主轨道上,且能够沿所述主轨道向第一方向运动,所述第一滑动块的顶面具有第一滑动轨道,所述第一滑动轨道的延伸方向与所述主轨道的延伸方向不同;第二滑动块,设置在所述第一滑动轨道上,且能够沿所述第一滑动轨道向第二方向运动,所述第一方向与所述第二方向不同,所述承载台可转动地设置在所述第二滑动块上。
进一步,所述第一方向与所述第二方向垂直。
进一步,所述第一滑动块底面具有第一滑槽,所述第一滑槽与所述主轨道配合,以使所述第一滑动块能够沿所述主轨道向所述第一方向运动。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造