[实用新型]功率半导体封装器件有效
| 申请号： | 201922166561.X | 申请日： | 2019-12-05 |
| 公开（公告）号： | CN211238226U | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 杨发森;史波;肖婷 | 申请（专利权）人： | 珠海格力电器股份有限公司;珠海零边界集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/373 | 分类号： | H01L23/373;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 石磊 |
| 地址： | 519070 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 半导体 封装 器件 | ||
1.一种功率半导体封装器件，其特征在于，包括：
第一陶瓷基板，所述第一陶瓷基板的第一面设置有第一电路层；
芯片，设置在所述第一电路层，并与所述第一电路层电连接；
第二陶瓷基板，所述第二陶瓷基板的第二面设置有第二电路层；所述第二电路层与所述芯片及所述第一电路层分别电连接。
2.如权利要求1所述的功率半导体封装器件，其特征在于，还包括封装层，所述封装层介于所述第一陶瓷基板及所述第二陶瓷基板之间，且所述封装层包裹所述芯片。
3.如权利要求2所述的功率半导体封装器件，其特征在于，所述第一电路层设置有第一焊盘，所述第二电路层设置有第二焊盘；
所述第一电路层通过所述第一焊盘与所述芯片电连接；
所述第二电路层通过所述第二焊盘与所述芯片电连接。
4.如权利要求3所述的功率半导体封装器件，其特征在于，所述第一焊盘、第二焊盘分别通过锡膏与所述芯片焊接连接。
5.如权利要求2所述的功率半导体封装器件，其特征在于，所述第二陶瓷基板小于所述第一陶瓷基板，且所述第二陶瓷基板覆盖所述芯片。
6.如权利要求1所述的功率半导体封装器件，其特征在于，所述第一电路层连接有至少两个引脚，且所述引脚延伸到所述第一陶瓷基板外。
7.如权利要求1～6任一项所述的功率半导体封装器件，其特征在于，所述第一电路层上设置有至少一个凸点，所述第一电路层及所述第二电路层通过所述至少一个凸点电连接。
8.如权利要求7所述的功率半导体封装器件，其特征在于，所述凸点的个数为两个，且所述两个凸点分列在所述芯片的两侧。
9.如权利要求7所述的功率半导体封装器件，其特征在于，所述凸点为铜凸点。
10.如权利要求7所述的功率半导体封装器件，其特征在于，所述第一陶瓷基板及所述第二陶瓷基板均为双面覆铜陶瓷基板。
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