[实用新型]功率半导体封装器件

说明书

本实用新型提供了一种功率半导体封装器件，该功率半导体封装器件包括：第一陶瓷基板，所述第一陶瓷基板的第一面设置有第一电路层；芯片，设置在所述第一电路层，并与所述第一电路层电连接；第二陶瓷基板，所述第二陶瓷基板的第二面设置有第二电路层；所述第二电路层与所述芯片及所述第一电路层分别电连接。在上述技术方案中，通过采用陶瓷基板承载芯片，并通过陶瓷基板上的电路层替代现有技术中的粗铝线，提高了芯片在连接时的可靠性，同时通过陶瓷基板改善了芯片在工作时的散热效果，通过在芯片的两侧分别设置陶瓷基板改善了芯片的散热效果。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域，尤其涉及到一种功率半导体封装器件。

背景技术

随着芯片制造技术的不断发展，功率器件的小型化、集成化程度越来越高，其功率密度也不断提升，对散热要求也越来越高；而现有技术中的芯片采用传统的半包封框架+铝线焊接的封装方式，但是这种封装方式散热效率比较低，已无法满足可靠性要求。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型提供了一种功率半导体封装器件，用以有效地提高芯片的散热效果以及可靠性。

本实用新型提供了一种功率半导体封装器件，该功率半导体封装器件包括：第一陶瓷基板，所述第一陶瓷基板的第一面设置有第一电路层；芯片，设置在所述第一电路层，并与所述第一电路层电连接；第二陶瓷基板，所述第二陶瓷基板的第二面设置有第二电路层；所述第二电路层与所述芯片及所述第一电路层分别电连接。

在上述技术方案中，通过采用陶瓷基板承载芯片，并通过陶瓷基板上的电路层替代现有技术中的粗铝线，提高了芯片在连接时的可靠性，同时通过陶瓷基板改善了芯片在工作时的散热效果，通过在芯片的两侧分别设置陶瓷基板改善了芯片的散热效果。

在一个具体的可实施方案中，功率半导体封装器件还包括封装层，所述封装层介于所述第一陶瓷基板及所述第二陶瓷基板之间，且所述封装层包裹所述芯片。通过设置的封装层包裹上述器件，提高了功率半导体封装器件的可靠性。

在一个具体的可实施方案中，所述第一电路层设置有第一焊盘，所述第二电路层设置有第二焊盘；所述第一电路层通过所述第一焊盘与所述芯片电连接；所述第二电路层通过所述第二焊盘与所述芯片电连接。通过焊盘实现芯片与两个陶瓷基板的电连接。

在一个具体的可实施方案中，所述第一焊盘、第二焊盘分别通过锡膏与所述芯片焊接连接。提高了焊接的可靠性。

在一个具体的可实施方案中，所述第二陶瓷基板小于所述第一陶瓷基板，且所述第二陶瓷基板覆盖所述芯片。提高了芯片的散热效果。

在一个具体的可实施方案中，所述第一电路层连接有至少两个引脚，且所述引脚延伸到所述第一陶瓷基板外。通过引脚与外部电路连接。

在一个具体的可实施方案中，所述第一电路层上设置有至少一个凸点，所述第一电路层及所述第二电路层通过所述至少一个凸点电连接。通过凸点实现电连接。

在一个具体的可实施方案中，所述凸点的个数为两个，且所述两个凸点分列在所述芯片的两侧。

在一个具体的可实施方案中，所述凸点为铜凸点。保证了电连接的可靠性。

在一个具体的可实施方案中，所述第一陶瓷基板及所述第二陶瓷基板均为双面覆铜陶瓷基板。提高了芯片的散热效果。

附图说明

图1为本实用新型实施例提供的功率半导体封装器件的结构示意图；

图2为功率半导体封装器件的正面示意图；

图3为功率半导体封装器件的背面示意图。

具体实施方式