[实用新型]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：

半导体衬底，包括多个半导体鳍片，所述多个半导体鳍片沿第一方向延伸；

多个栅叠层，所述多个栅叠层与所述多个半导体鳍片相交，分别包括栅极导体和栅极介质，所述栅极介质位于所述栅极导体和相对应的半导体鳍片之间，所述多个栅叠层的栅极导体沿第二方向延伸；

栅极侧墙，位于所述多个栅叠层的栅极导体的相对侧面上；

源/漏区，位于所述多个半导体鳍片中并且与所述多个栅叠层相邻；以及

隔离结构，沿所述第一方向断开个至少一个半导体鳍片，以及沿所述第二方向断开多个相邻栅极导体，

其中，所述隔离结构包括在所述多个相邻栅极导体中形成的第一开口，以及在所述至少一个半导体鳍片中形成的第二开口，所述第二开口位于所述第一开口下方。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一方向为所述多个半导体鳍片的长度方向，所述第二方向为所述多个栅叠层的栅极导体的长度方向。

3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括多个逻辑单元区，所述第一开口在相邻的逻辑单元区之间延伸，使得位于所述第一开口下方的第二开口将相邻的逻辑单元区之间的半导体鳍片断开，从而沿所述第一方向提供单元区隔离。

4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一开口横跨所述至少一个半导体鳍片，使得位于所述第一开口下方的第二开口将共用所述至少一个半导体鳍片的不同晶体管彼此隔开，从而沿所述第一方向提供晶体管间隔离。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一开口横跨所述至少一个半导体鳍片，使得位于所述第一开口下方的第二开口将晶体管中并联的多个半导体鳍片中的一部分半导体鳍片断开，以控制沟道数量，从而提供晶体管内隔离。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体器件，其特征在于，所述源/漏区包括从所述多个半导体鳍片的顶部表面和侧面生长的外延层，所述多个半导体鳍片的外延层横向扩展且彼此接触，从而在晶体管中将多个半导体鳍片并联形成多个沟道。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述外延层具有近似菱形的截面形状，并且，所述外延层的顶部表面是外延生长的自由表面。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：位于所述半导体衬底和所述栅极导体之间的隔离层，所述多个半导体鳍片从所述隔离层的开口中延伸至所述栅极导体的下方。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：位于所述栅极导体和所述源/漏区上方的层间介质层，所述层间介质层填充所述第一开口和所述第二开口。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其特征在于，还包括：贯穿所述层间介质层到达所述源/漏区的源/漏接触。

11.根据权利要求10所述半导体器件，其特征在于，所述源/漏接触邻近所述第一开口。

12.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：位于所述源/漏区下方的穿通阻止层，所述穿通阻止层的掺杂类型与所述源/漏区的掺杂类型相反以形成PN结。

13.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一开口的侧壁为所述栅极侧墙。

14.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第二开口去除所述至少一个半导体鳍片在所述第一开口中的暴露部分，并且向下延伸至所述半导体衬底中。

15.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的多条纳米线，所述多条纳米线沿第一方向延伸；

多个栅叠层，所述多个栅叠层与所述多条纳米线相交，分别包括栅极导体和栅极介质，所述栅极介质位于所述栅极导体和相对应的半导体鳍片之间，所述多个栅叠层的栅极导体沿第二方向延伸；

栅极侧墙，位于所述多个栅叠层的栅极导体的相对侧面上；

源/漏区，位于所述多条纳米线中并且与所述多个栅叠层相邻；以及

隔离结构，沿所述第一方向断开个至少一个半导体鳍片，以及沿所述第二方向断开多个相邻栅极导体，

其中，所述隔离结构包括在所述多个相邻栅极导体中形成的第一开口，以及在所述至少一个半导体鳍片中形成的第二开口，所述第二开口位于所述第一开口下方。