[实用新型]衬底台、光刻设备和液体限制系统

说明书

公开了一种衬底台、一种光刻设备和一种液体限制系统。提供了一种用于浸没系统的衬底台，所述浸没系统包括：投影系统，布置成将图像投影到衬底上；和液体限制系统，配置成将浸没液体限制在所述投影系统和所述衬底之间的空间中。所述衬底台包括：衬底保持器，配置成保持衬底；和电流控制装置，布置成在所述浸没液体被限制在所述空间中的同时减小在所述衬底和所述衬底保持器之间流动的电流。

技术领域

本实用新型涉及一种衬底台、一种光刻设备和一种液体限制系统，尤其涉及一种浸没型光刻设备。

背景技术

光刻设备是一种构造为将所期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以例如用于集成电路(IC)的制造中。光刻设备可例如将图案形成装置(例如，掩模)的图案(也经常称为“设计布局”或“设计”)投影到设置在衬底(例如，晶片)上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

随着半导体制造过程持续进步，几十年来，电路元件的尺寸已经不断地减小的同时每一个器件的功能元件(诸如晶体管)的量已经在稳定地增加，这遵循着通常称为“莫尔定律(Moore’s law)”的趋势。为了跟上莫尔定律，半导体行业正在追寻能够创建越来越小的特征的技术。为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定在衬底上图案化的特征的最小尺寸。当前使用的典型的波长是365nm(i线)、248nm、193nm和13.5nm。

在浸没式光刻设备中，将浸没液体介于设备的投影系统和衬底之间的空间中。在本说明书中，将在描述中参考局部浸没，其中在使用时浸没液体被限制在投影系统和面向投影系统的表面之间的空间。面向表面是衬底的表面或与衬底表面共面的支撑平台(或衬底台)的表面。(请注意，下文中对“衬底表面”的任何参考也指衬底台的表面的补充或替代，除非另有明确说明；反之亦然。)投影系统和平台之间存在的流体处理结构用于将浸没液体限制在浸没空间中。由液体填充的空间在平面上小于衬底的顶表面，并且当衬底和衬底平台在下面移动时，该空间相对于投影系统基本上保持静止。

在光刻设备中，将要曝光的衬底(可以称为生产衬底)保持在衬底保持器(有时称为晶片台)上。衬底保持器可以被支撑在相对于投影系统可移动的衬底台上。衬底保持器通常包括由刚性材料制成的实心主体，其在平面上具有与要支撑的生产衬底相似的尺寸。实心主体的面向衬底的表面设置有多个突起(称为突节)。突节的远端表面与平坦平面相吻合或遵循一平坦平面并且支撑所述衬底。突节提供几个优点：衬底保持器上的污染物粒子可能落在多个突节之间，因此不会引起衬底变形；与使实心主体表面平坦相比，机加工突节使其端部与平面相吻合更容易；突节的属性可以被调整，以例如控制衬底的夹持。

然而，在使用期间，例如由于反复装载和卸载衬底，衬底保持器的突节会磨损。突节的不均匀磨损导致曝光期间衬底的不平整，这会导致过程窗口的减小，在极端情况下会导致成像误差。由于非常精确的制造规格，衬底保持器的制造成本很高，因此期望增加衬底保持器的使用寿命。

实用新型内容

期望例如提供一种用于减少衬底保持器的磨损的改进的方式，尤其是减少在浸没型光刻设备中的衬底保持器的磨损的改进的方式。

根据一方面，提供了一种用于浸没系统的衬底台，所述浸没系统包括：投影系统，布置成将图像投影到衬底上；和液体限制系统，配置成将浸没液体限制在所述投影系统和所述衬底之间的空间中，所述衬底台包括：衬底保持器，配置成保持所述衬底；和电流控制装置，布置成在所述浸没液体被限制在所述空间中的同时减小在所述衬底和所述衬底保持器之间流动的电流。

根据一方面，提供了一种光刻设备，包括：根据上述方面的衬底台；投影系统，布置成将图像投影到由所述衬底保持器保持的衬底上；和液体限制系统，配置成将浸没液体限制在所述投影系统和所述衬底之间的空间中。