[实用新型]一种超低功率半导体功率器件有效
| 申请号： | 201922185672.5 | 申请日： | 2019-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN210607273U | 公开（公告）日： | 2020-05-22 |
| 发明（设计）人： | 丁磊;侯宏伟 | 申请（专利权）人： | 张家港凯思半导体有限公司;江苏协昌电子科技股份有限公司;张家港凯诚软件科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人： | 夏平 |
| 地址： | 215612 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 器件 | ||
1.一种超低功率半导体功率器件，其特征在于，包括半导体基板，所述半导体基板包括N+型衬底(1)和N-型外延层(2)，第一表面为N-型外延层(2)的上表面，第一表面开有垂直方向上的第一沟槽(3)、第二沟槽(4)和第三沟槽(5)，第二表面为N+型衬底(1)的下表面，第二表面设有背面电极(19)；
第一沟槽(3)的下半部分内壁覆盖场氧化层(6)，场氧化层(6)内淀积导电多晶硅(7)，且导电多晶硅(7)高于两壁的场氧化层(6)，第一沟槽(3)的上半部分内壁及其外围的第一表面、场氧化层(6)及导电多晶硅(7)上方均覆盖栅极氧化层(8)，栅极氧化层(8)内淀积栅氧多晶硅(9)；第二沟槽(4)的内壁及其外围的第一表面上覆盖场氧化层(6)，场氧化层(6)内淀积导电多晶硅(7)，导电多晶硅(7)上方均覆盖栅极氧化层(8)；第三沟槽(5)的内壁及其外围的第一表面上覆盖场氧化层(6)，场氧化层(6)内淀积导电多晶硅(7)，导电多晶硅(7)上方均覆盖栅极氧化层(8)；第一沟槽(3)外围的第一表面下方、第一沟槽(3)与第二沟槽(4)之间的第一表面下方均设置有P-型杂质注入层(10)；
第一沟槽(3)内的栅极氧化层(8)上方、第一沟槽(3)外围的栅氧多晶硅(9)上方、第二沟槽(4)内的导电多晶硅(7)上方、第二沟槽(4)外围的场氧化层(6)、第三沟槽(5)内的导电多晶硅(7)上方、第三沟槽(5)外围的场氧化层(6)上方均覆盖氧化层(11)；
第一沟槽(3)外围的氧化层(11)上方覆盖有源极金属(17)，该源极金属(17)向下延伸至第一源极孔(12)内，所述第一源极孔(12)贯穿氧化层(11)、栅极氧化层(8)直至第一沟槽(3)外围的P-型杂质注入层(10)的上部；第一沟槽(3)上方的氧化层(11)上方覆盖有栅极金属(18)，该栅极金属(18)向下延伸至栅极孔(14)内，所述栅极孔(14)贯穿氧化层(11)直至栅氧多晶硅(9)；第二沟槽(4)上方覆盖有源极金属(17)，该源极金属(17)向下延伸至第二源极孔(13)内，所述第二源极孔(13)贯穿氧化层(11)、栅极氧化层(8)直至第二沟槽(4)内的导电多晶硅(7)；且所述源极金属(17)与栅极金属(18)之间不相连；
第一源极孔(12)与第一沟槽(3)之间、第一源极孔(12)与第二沟槽(4)之间均设置N+型杂质层(15)，第一源极孔(12)底部设置P+型杂质层(16)。
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