[实用新型]减少聚合物沉积的设备

说明书

本公开的实现方式提供了一种衬底支撑组件。本公开的实现方式提供了一种用于静电吸盘的工艺配件。在一个实现方式中，提供了一种衬底支撑组件。所述衬底支撑组件包括静电吸盘，所述静电吸盘具有形成在所述静电吸盘的上部分中的第一凹陷。工艺配件包围所述静电吸盘。所述工艺配件包括内环和设置在所述内环的径向外侧的外环。所述外环包括形成在上环的上部分中的第二凹陷。所述内环定位在所述第一凹陷和所述第二凹陷内并由所述第一凹陷和所述第二凹陷支撑。所述内环的上表面和所述外环的上表面是共面的。

技术领域

本公开的示例整体涉及用于处理衬底(诸如半导体衬底)的设备。更具体地，公开了一种用于静电吸盘的工艺配件。

背景技术

在诸如半导体衬底和显示面板之类的衬底的处理中，衬底放在工艺腔室中的衬底支撑件上，同时在工艺腔室中维持合适的工艺条件以在衬底的表面上沉积、蚀刻、形成层或以其他方式处理衬底的表面。在蚀刻工艺期间，驱动蚀刻工艺的等离子体可能不均匀地分布在衬底表面上。不均匀性在衬底表面的边缘处特别地明显。这样的不均匀性产生不良处理结果。因此，一些工艺腔室使用边缘环(边缘环也可以被称为工艺配件环)，以便提高等离子体均匀性并改进工艺良率。

然而，已经观察到的是，蚀刻工艺可能造成聚合物材料聚积在衬底表面的边缘处。聚合物材料可能卡在衬底的边缘与工艺配件环之间的间隙中并扩散到衬底支撑件的静电吸盘中。当抬起衬底和/或断开等离子体时，聚合物材料可能沉积回到衬底表面上，从而不利地影响衬底处理。

因此，本领域中需要的是能够解决以上所讨论的问题的设备。

实用新型内容

在一个实现方式中，提供了衬底支撑组件。所述衬底支撑组件包括静电吸盘，所述静电吸盘具有形成在所述静电吸盘的上部分中的第一凹陷。工艺配件包围所述静电吸盘。所述工艺配件包括内环和设置在所述内环的径向外侧的外环。所述外环包括形成在外环的上部分中的第二凹陷。所述内环定位在所述第一凹陷和所述第二凹陷内并由所述第一凹陷和所述第二凹陷支撑。所述内环的上表面和所述外环的上表面是共面的。

在另一个实现方式中，提供了一种用于处理衬底的衬底支撑组件。所述衬底支撑组件包括衬底支撑件和设置在所述衬底支撑件上的静电吸盘。所述静电吸盘包括形成在所述静电吸盘的上部分中的第一凹陷。工艺配件包围所述静电吸盘。所述工艺配件包括内环和设置在所述内环的径向外侧的外环。所述外环包括形成在外环的上部分中的第二凹陷。所述内环定位在所述第一凹陷和所述第二凹陷内并由所述第一凹陷和所述第二凹陷支撑。所述外环的上表面高于所述内环的上表面。多个泵送通道穿过所述外环形成。所述泵送通道朝着远离所述内环的方向向下地成角度。

在又一个实现方式中，一种衬底支撑组件包括静电吸盘，所述静电吸盘具有形成在所述静电吸盘的上部分中的第一凹陷。工艺配件包围所述静电吸盘。所述工艺配件包括内环，所述内环包括上表面。外环设置在所述内环的径向外侧。所述外环包括第一上表面和第二上表面。所述第一上表面与所述内环的上表面共面。所述第二上表面在远离所述内环的方向上以一角度倾斜。

附图说明

为了能够详细地理解本公开的上述特征的方式，可以参考本公开的各方面得到以上简要地概述的本公开的更特定的描述，其中一些实现方式在附图中示出。然而，应当注意，附图仅示出了本公开的典型的方面，并且因此不应视为对本公开的范围的限制，因为本公开可允许其他等效方面。

图1是根据本公开的一个示例的工艺腔室的示意性截面图。

图2是根据本文描述的一个示例的工艺腔室的衬底支撑组件的放大示意图。

图3示出了内环的简化透视图，其示出了突起。

图4A示出了根据一个实现方式的工艺配件的剖视图。

图4B示出了泵送环的透视图，其示出了突起。

图5示出了根据一个实现方式的工艺配件的剖视图。