[实用新型]一种发光二极管的封装体有效
| 申请号： | 201922211341.4 | 申请日： | 2019-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN210805820U | 公开（公告）日： | 2020-06-19 |
| 发明（设计）人： | 熊伟平;王鑫;吴志伟;高迪;蔡坤煌 | 申请（专利权）人： | 天津三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/60 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 封装 | ||
【权利要求书】：
1.发光二极管的封装体，所述封装体自下而上包含：封装基板、透明封装胶、发光二极管；所述发光二极管自下而上包含：角度选择性反射结构、透明衬底、第一导电型半导体层、量子阱、第二导电型半导体层，所述量子阱、第二导电型半导体层部分被蚀刻，露出部分第一导电型半导体层，第一焊接电极位于所述露出的第一导电型半导体层上、第二焊接电极位于第二导电型半导体层上，其特征在于：所述封装基板的上表面具有锥形台，锥形台同时位于发光二极管下方，锥形台的表面为镜面；所述角度选择性反射结构对小入射角的光主要进行透射，大入射角的光主要进行反射。
2.根据权利要求1所述的发光二极管的封装体，其特征在于：所述角度选择性反射结构为具有低折射率的透明介质，或具有高、低折射率的透明介质形成的交替叠层结构。
3.根据权利要求1所述的发光二极管的封装体，其特征在于：所述锥形台为一个，其顶点朝上并位于所述透明衬底发光二极管对称中心线上，其顶角小于[180°-arctan(a/2b)]，其中a、b分别为所述透明衬底的边长与厚度。
4.根据权利要求1或3所述的发光二极管的封装体，其特征在于：所述锥形台的表面为镜面，所述镜面为金属镜面或者DBR结构。
5.根据权利要求4所述的发光二极管的封装体，其特征在于：所述金属镜面的金属可以为Ag、Au、Cu、Al的其中一种或组合。
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